电化学沉积Fe单晶纳米线生长中的取向控制.pdfVIP

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 , %##, , , , KH3 *, TH * M1416: %##, ( ) ###/-%’#I%##,I, # I#-$’/# @DP@ QCRNSD@ NSTSD@ %##, D92 * Q9:5 * NH; * 电化学沉积 单晶纳米线生长中的取向控制! ! 胡海宁 陈京兰 吴光恒! (中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京 ###$# ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) %## $ $ %## ’ % 利用电化学沉积方法,发现了一种能够动态地控制铁纳米线生长方向的沉积方法,利用该方法沉积了包括 [ ]取向,[ ]取向及非晶态三种结构和取向的一维 纳米线阵列 对于三种纳米线阵列,测量了它们的磁特 # %## () * 性,分析发现具有[ ]择优取向纳米线阵列的方形度,各向异性特性和矫顽力都比[ ]取向阵列有很大的改善 %## # * 关键词:磁性纳米线,电化学沉积,取向控制 : , #$%% +,,# +,’# 米线阵列的特性提供了各种数据* 同时,也使得大面 引 言 积可控取向生长() 纳米线阵列成为了一种可能* 一维纳米材料因其在磁记录方面的潜在应用价 % 实验和讨论 [ ] 值而受到人们的广泛关注 ? - * 由于氧化铝模板电 本文的一维 纳米线是利用电化学沉积的方 化学沉积方法制备一维磁性纳米线,具有设备简单, () 操作方便等优点而近年来为人们经常采用* 从以往 法在氧化铝模板上制备的* 氧化铝模板是采用二次 [, ] ’ # 的工作看,利用电化学模板沉积法合成() 纳米线相 氧化法制备的 ,其过程大致如下:将厚度为 当容易获得单一取向的纳米线阵列,但是,除了部分 的高纯 片( )剪成一定的形状,在 # -00 @3 ’’ ’’’ A 结果为非晶态结构外,一致取向的纳米线阵列大都 气氛围下 退火 以去除应力和再结晶,在

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