内容提要：3.6.1概述3.6.2IGBT的结构和工作原理3.6.3IGBT的基本特性3.6.4 IGBT的栅极驱动和保护3.6.5 IGBT的发展历程3.6.6 IGBT的未来展望3.6绝缘栅双极晶体管（.pptVIP

3.6 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 内容提要： 3.6.1 概述 3.6.2 IGBT的结构和工作原理 3.6.3 IGBT的基本特性 3.6.4 IGBT的栅极驱动和保护 3.6.5 IGBT的发展历程 3.6.6 IGBT的未来展望 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT)——1984年，巴利伽等人发表了《绝缘栅晶体管》的文章 GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。 1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 在很宽的工作电流范围内具有正电阻温度系数，便于多芯片并联 开关速度快（ns级） 反向恢复时间短，为采用新型特快动作的压敏保护器件来实现IGBT“直接串联”提供了技术上的可能 开关损耗远低于双极型器件，而通态损耗越来越接近双极型器件，于是总功率损耗降低 不存在晶闸管类器件在开通过程中必然存在的电流集中在初始导通区域然后再逐步向全面积扩展的“慢”过程，有更高的di/dt耐量，开通过程更加均匀 比GTO、晶闸管和某些IGCT等双极型器件有高得多的du/dt耐量 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。 将VDMOSFET的N+注入区换成P+注入区，具有很强的通流能力。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。 ? 驱动原理与功率MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 1、IGBT的静态特性 IGBT的开通过程?????? 与MOSFET的相似 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程； tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。 关断延迟时间td(off） 电流下降时间tf 关断时间toff 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。 tfi1——IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快。 tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 由IGBT的饱和电压特性、开通损耗特性和关断损耗特性可计算总功耗。 例如：Ic＝40A，脉冲占空系数DF＝50％，f=20kHz，Tj＝125℃，则 擎住效应，也称晶闸管效应、闭锁效应，是指IGBT工作电流增大到某个值时，虽撤去栅偏压，器件依然导通；即器件被栅压触发导通后，栅压不再具有控制能力。 此时器件处于不稳定状态，对IGBT而言是一种故障现象。 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。 出现擎住效应的条件 IGBT发生擎住的临界擎住电流为（静态擎住） 减小短路电阻Rb P+中心扩散方法 缩短N+源区的横向长度 采用自对准技术 背面定域P+扩散法与阳极短路法 加一薄的N+缓冲层 控制少数载流子寿命 选择合理的栅源结构 关于N+缓冲层 无N+缓冲层的IGBT中，正、反向阻断电压相等，故称对称型器件 有N+缓冲层的IGBT称非对称型器件 很多应用领域并不要求器件是对称型的（如电压型逆变器），所以非对称型器件很受重视 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 由于是容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷积聚很敏感，驱动电路必须很可靠，要保证有一条低阻抗值的放电回路。 用低内阻的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压有足够陡峭的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。另外IGBT开通后，栅极驱动源应提供足够的功率使IGBT不致退出饱和而损坏。 栅极电路中的正偏压应为+12～+15V；负偏压应为-2V～-10V。 IGBT多用于高压场合，故驱动电路应与整个控制电路在电位上严格隔离。 栅极驱动电路应尽可能简单实用，具有对IGBT的自保护功能，并有较强的抗干扰能力。 若为大电感