福建师范大学数学与计算机科学学院电子技术基础课件第四章 半导体二极管及其应用（一）.ppt

《模拟电路》精品课程课件 * 第4章 半导体二极管及其应用 §4.1 PN结 §4.2 半导体二极管 §4.3 半导体二极管的基本应用 §4.4 特殊二极管 §4.1 PN结 学习目标：1.熟悉P型、N型半导体的 基本结构及特性 2.掌握PN结的单向导电性 学习重点：1. P型、N型半导体的形成 和电结构特点 2. PN结的正向和反向导电 特性 第4章 半导体二极管及其应用 一、半导体的基本知识 根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 §4.1 PN结 §4.1 PN结 二、本征半导体 本征半导体——纯净的、不含其他杂质的半导体 本征半导体的共价键结构 本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子 载流子 空穴 二、N型和P型半导体 形成： 在本征半导体中掺入微量五价元素。 §4.1 PN结 （一） N型半导体 多数载流子---电子 少数载流子--空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 硅原子 多余电子 磷原子 电子空穴对 自由电子 施主离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 形成： 在本征半导体中掺入微量三价元素。 §4.1 PN结 － － － － － － － － － － － － P型半导体 硅原子 空穴 硼原子 电子空穴对 空穴 受主离子 （二）P型半导体 多数载流子--空穴 少数载流子--电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 二、PN结的形成 形成过程： P型和N型半导体结合 扩散运动 内电场建立 阻碍扩散运动 促使漂移运动 动态平衡 形成空间电荷区 PN结形成 §4.1 PN结 空间电荷区 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 N型半导体 P型半导体 多子浓度差 三、PN结的单向导电性 1、PN结正向偏置 PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大。 §4.1 PN结 正偏——P区接电源正极，N区接电源负极。 空间电荷区变窄 内电场方向 外电场方向 §4.1 PN结 2、PN结反向偏置 反偏——P区接电源负极，N区接电源正极。 PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很小。 空间电荷区变宽 内电场方向 外电场方向 §4.2 半导体二极管 学习目标：1.了解二极管的结构和类型 2.掌握二极管的伏安特性 3.熟悉二极管的使用方法 学习重点：1.二极管的伏安特性 2.二极管的主要参数 第4章 半导体二极管及其应用 一、基本结构及类型 1、结构 （a）点接触型 （b）面接触型 （c）平面型 §4.2 半导体二极管 由一个PN结构成 2、符号 3、分类 材料：硅二极管和锗二极管 用途：整流、稳压、开关、普通二极管 结构、工艺：点接触、面接触 §4.2 半导体二极管 N P 阳极 a 阴极 k 4、型号 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格 代表器件的材料 2代表二极管，3代表三极管。 代表器件的类型 二、二极管的伏安特性 结论： 二极管是非线性元件 二极管具有单向导电性 §4.2 半导体二极管 硅：0.5 V 锗： 0.1 V 导通压降 反向饱和电流 死区 电压 击穿电压UBR 锗 伏安特性曲线 1、正向特性 2、反向特性 3、反向击穿特性 三、二极管的主要参数 （4）最高工作频率fM—— §4.2 半导体二极管 (1) 最大整流电流IFM———————— 二极管长期运行允 许通过的最大正向平均电流 (2) 反向击穿电压UBM—— 允许加在二极管上的反向 电压最大值 (3) 反向电流IR——— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。反向电流越小，管子单向导电性能越好。 主要取决于PN结结电容的大小 四、半导体二极管的分析方法 恒压模型 U D 二极管的导通压降：硅管 0.7V；锗管 0.3V。 二极管的V—A特性 §4.2 半导体二极管 理想二极管模型： 正偏 反偏 小信号模型: 　　在交流小信号模型下将二极管等效于rD,因此可用于分析二极管电