河南师范大学模拟电子技术课件9 结型.pptVIP

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  • 2019-05-10 发布于广东
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河南师范大学模拟电子技术课件9 结型.ppt

场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 1.4.1 结型场效应三极管 结构 它是在N型半导体硅片的两侧扩散高浓度P离子区,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。 P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极。 一、结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构,只能工作在反偏的条件下, N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压(uGS0)区, P沟道的只能工作在正栅压区,否则将会出现栅流。 同时uDS0,实现栅源电压对漏极电流的控制。现以N沟道为例说明其工作原理。 1、栅源电压对沟道的控制作用 uDS=0,uGS对导电沟道的控制: uGS=0,导电沟道宽; uGS0,PN结反偏,形成耗尽层,沟道将变窄,ID减小,uGS继续减小,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。 漏极电流为0时,沟道消失,所对应的栅源电压uGS称为夹断电压UGS(off)。

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