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當正常的程式執行流程發生暫時的停止時,稱之為例外事件。 例:處理一個外部的中斷請求。在處理例外事件之前,目前處理器的狀態必須加以保留,這樣當例外事件處理完成之後,目前程式才可以繼續執行。處理器允許多個例外事件同時發生,它們將會按固定的優先順序來進行處理。 這種存在ARM系列結構中的例外事件,是與8位元/16位元系列結構的中斷有很大的相似之處,但例外事件與中斷的概念並不完全相同。 2.6 例外(Exceptions)事件 P-*/67 第2章 嵌入式微處理器-ARM 大綱 2.1 ARM微處理器的工作狀態 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 2.3 指令長度及資料類型 2.4 處理器模式 2.5 暫存器內容 2.6 例外(Exceptions)事件 2.7 討論 大綱 2.1 ARM微處理器的工作狀態 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 2.3 指令長度及資料類型 2.4 處理器模式 2.5 暫存器內容 2.6 例外(Exceptions)事件 2.7 討論 P-*/67 ARM微處理器的工作狀態一般有兩種 : ARM狀態,此時處理器執行32位元的字對齊的ARM指令。 Thumb狀態,此時處理器執行16位元,半字元組對齊的Thumb指令。 在程式的執行過程中,微處理器可以隨時在兩種工作狀態之間切換,並且處理器工作狀態的轉變並不影響處理器的工作模式和相應暫存器中的內容。 P-*/67 2.1 ARM微處理器的工作狀態 範例程式片段: .code 32 // 從此處起的程式以ARM指令集編譯 bx r0 // 若r0[31:1]為位址label1,r0[0]為1,當跳躍 //至label1處執行時,切換為Thumb指令集態 .code 16 // 指示從此處的程式為Thumb指令集狀態 label1 : // label1程式進入點 2.1 ARM微處理器的工作狀態 P-*/67 大綱 2.1 ARM微處理器的工作狀態 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 2.3 指令長度及資料類型 2.4 處理器模式 2.5 暫存器內容 2.6 例外(Exceptions)事件 2.7 討論 P-*/67 ARM系列結構將記憶體看作是從零位址開始的位元組之線性組合的方式。 從零位元組到三位元組放置第一個記憶體的字元組資料 從第四個位元組到第七個位元組放置第二個記憶體的字元組資料,依次排列。 32位元的微處理器,ARM系列結構所支援的最大定址空間為4GB(232位元組)。 P-*/67 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 位元組定址若是無號數的話,可定址的範圍:0~232 –1。 可視為230個32位元組,以字元對齊(word-aligned)的話,則位址可被4整除。 字元組對齊的A,是由A,A+1,A+2,A+3位元組所組成。 V4以上的版本,定址空間可視為由231個16位元的半位元組所組成。 若是半字元組對齊(halfword-aligned)的話,則位址可被2整除,且半字元組對齊的A,是由A,A+1位元組所組成。 P-*/67 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 而在ARM系列結構可以用兩種方法存取字元組資料 大端(Big Endian)格式 在這種格式中,字元組資料的高位元組是存儲在低位址中,而字元組資料的低位元組則存放在高位址中,如圖2.1所示。這一系列的微處理器以Motorola系列的晶片組為主要的代表。 字元組對齊的位元組或是半字元組是該位址的最高有效的位元組或是半字元組。 半字元組對齊的位元組是該位址的半字元組的最高有效的位元組。 P-*/67 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 而在ARM系列結構可以用兩種方法存取字元組資料 小端(Little Endian)格式 與大端存儲格式相反,在小端存儲格式中,低位址中存放的是字元組資料的低位元組,高位址存放的是字元組資料的高位元組。這一系列的微處理器以Atmel系列的晶片組為主要的代表。 字元組對齊的位元組或是半字元組是該位址的最低有效的位元組或是半字元組。 半字元組對齊的位元組是該位址的半字元組的最低有效的位元組。 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 P-*/67 大綱 2.1 ARM微處理器的工作狀態 2.2 ARM系列結構的定址方式與記憶體格式 2.3 指令長度及資料類型 2.4 處理器模式 2.5 暫存器內容 2.6 例外(Exceptions)事件 2.7 討論 P-*/67 ARM微處理器的指令長度可以是32位元(在ARM狀態下),也可以為16位元(在Thumb狀態下)。 ARM微
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