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过渡金属元素 ( Mn,Fe,Co,Ni)掺杂对ZnO基阻变存储器性能的影响
郭家俊 董静雨 康鑫 陈伟 赵旭
Effect of transition metal element ( Mn, Fe, Co, and Ni) doping on performance of ZnO resis-
tivememory
GuoJia-Jun DongJing-Yu KangXin ChenWei ZhaoXu
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,063101(2018) DOI: 10.7498/aps.67
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.67
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2018/V67/I6
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过渡金属元素 ( Mn, Fe, Co, Ni)掺杂对
ZnO基阻变存储器性能的影响
郭家俊 董静雨 康鑫 陈伟 赵旭
(河北师范大学物理科学与信息工程学院, 河北省新型薄膜材料实验室, 石家庄 050024)
( 2017 年11 月16 日收到; 2017 年12 月22 日收到修改稿)
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小了氧空位的形成能, 特别是掺杂Ni 时氧空位的形成能减小最为显著(比未掺杂时减少了64%). 基于该结果
制备了未掺杂和Ni 掺杂ZnO 阻变存储器, 研究表明通过掺杂控制体系中氧空位的迁移势垒和形成能, 可
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