数字电路与逻辑设计基础 项华珍第7章 半导体存储器.pptVIP

用EPROM Intel 2716与D/A芯片配合实现的信号发生器，产生各种复杂的电压波形，例如三角波、正弦波等。 * 数字电路与逻辑设计 数字电路与逻辑设计 数字电路与逻辑设计 第7章 半导体存储器 本章要点 本章主要介绍存储器主要技术指标与存储器分类，并介绍了存储器的电路结构特点和工作原理。重点介绍存储器容量的扩展方法以及它的应用。 你知道吗？ 半导体存储器就是能存储大量二值信息（或称作二值数据）的半导体器件。计算机中的硬盘、内存以及我们经常使用的U盘、MP3、MP4以及数字照相机的内存卡和手机的SD卡等等都是半导体存储器。它是属于大规模集成电路，由于计算机以及一些数字系统中要存储大量的数据，因此存储器已经成为是数字系统中不可缺少的组成部分。 7.1 概述 半导体存储器 ：用于储存大量二进制数据的半导体器件，它是由存储单元矩阵构成。 位（bit）：二进制中的一个数码，它是半导体存储器中存储数据的最小单位。 字节（Byte）：8位（bit）二进制数。 半字节（nibble）：一个字节分为两组，4位为半个字节 字（word）：一个完整的信息单位，通常一个字包含一个或多个字节 。 半导体存储器由存储单元矩阵构成，每个存储单元中要么是0，要么是1，每个矩阵单元可以通过行和列的位置来确定 ，存储单元矩阵可以有几种不同的构成形式。 32个存储单元的半导体存储器 半导体存储器的重要指标： 1．存储容量 指存储器可以容纳的二进制信息量，以存储器中存储地址寄存器（MAR， Memory Address Register）的编址数与存储字位数的乘积表示，M位地址总线、N位数据总线的半导体存储器芯片的存储容量为2M×N位。 如，某存储器芯片的MAR为16位，存储字长为8位，则其存储容量为216×8位 = 64K×8位，64K即16位的编址数。 2．存储速度 存储器的存储速度可以用两个时间参数表示 ：“存取时间”(Access Time) TA 和“存储周期”(Memory Cycle)TMC ，存储周期TMC略大于存取时间TA。 启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间 起动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）只读存储器（ROM）。其内容只能读取数据，不能快速地随时地修改或重新写入数据。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 （2）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时快速写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 7.2 半导体存储器的分类 （2） PROM：在出厂时存储内容全为1（或者全为0),用户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0(或为1)。只能写入一次。 ROM的分类（按照数据写入方式特点不同） （1）掩模ROM：在制造时，生产厂家利用掩模技术把数据写入存储器中，一旦ROM制成，其存储的数据就固定不变，无法更改。 （3）光可擦除可编程ROM（EPROM）：是可编程存储器，其数据不但可以由用户根据自己的需要写入，而且还能擦除重写，所以具有较大的使用灵活性。它的数据的写入需要通用或专用的编程器，其擦除为紫外线照射擦除，为一次全部擦除。 （4）OTPROM 　一次编程只读存储器（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）的写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再擦除，因此不设置透明窗。 （6）快闪存储器（Flash Memory）：是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入与EPROM相同，一般芯片可以擦除/写入100万次以上。 （5）电可擦除可编程ROM（E2PROM）：是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。 ROM存储器的应用实例： BIOS芯片是存放微机基本输入输出程序的只读存贮器，其功能是微机的上电自检、开机引导、基本外设I/O和系统CMOS 设置。 586以前的BIOS多为可重写EPROM芯片，上面的标签起着保护BIOS内容的作用(紫外线照射会使EPROM内容丢失)，不能随便撕下。 586以后的ROM BIOS多采用E2PROM(电可擦写只读ROM)，通过跳线开关和系