脉冲激光沉积后硒化法制备CIGS薄膜-物理学专业毕业论文.docxVIP

脉冲激光沉积后硒化法制备C 脉冲激光沉积后硒化法制备C I GS薄膜 摘要 太阳电池作为发展最快的清洁能源，具有无噪声、无污染、不受地域限制、 利用成本低等特点，近几年来薄膜电池得到了高速发展。以CuInGaSe。(简称CIGS) 为吸收层的薄膜太阳电池是在玻璃或者其它廉价衬底上沉积6层以上化合物半 导体和金属薄膜材料，薄膜总厚度约3—4 u m。该电池成本低、性能稳定、抗辐 射能力强，其光电转换效率高，被称为最有前途的廉价太阳电池之一。 对CIGS吸收层薄膜的研究，本论文主要包括两方面的内容：(1)用脉冲激 光沉积(PLD)法制备了不同成分比例的CIG预制膜，在硒化条件相同的情况下制 备了CIGS薄膜，系统地研究了激光能量和溅射次数等工艺参数对薄膜结构及形 貌的影响；(2)用脉冲激光沉积(PLD)法制备了成分比例相同的CIG预制膜，在 不同的硒化条件下制备了CIGS薄膜，系统地研究了热处理温度等工艺参数对薄 膜结构、形貌及光学性能的影响。 采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外分 光光度计等对制备的薄膜进行了检测，分析结果表明：(1)设定CuGa靶和In 靶溅射能量分别为350和250mJ，靶衬间距为35 InN，能够避免In聚集现象；(2) CuGa靶和In靶溅射次数分别为5和6万次，硒化后制备出的CIGS薄膜中Cu、 In、