锰锌化合物电致阻变薄膜及其异质结的制备与性能研究-材料工程专业毕业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 随着科学技术的迅猛发展，传统的非易失性存储器(NVW)硅基 flash 存储器遇到 了尺寸无法继续缩小的瓶颈，已经限制了 flash 存储器的进一步发展。因此，寻找下 一代非易失性存储器得到了广泛的关注与研究。阻变存储器(RRAM)由于具有低功耗， 高存储密度，高操作速度，耐疲劳，长保持，多级存储，与 CMOS 工艺兼容等优点， 使其成为下一代 NVW 的强有力的竞争者。 本文采用溶胶 - 凝 胶 法 (Sol-gel) 在 p++-Si 或 Pt/TiO2/SiO2/Si 衬 底 上 制 备 了 Mg0.2Zn0.8O 、 La0.67Ca0.33MnO3 、 Mg0.2Zn0.8O/La0.67Ca0.33MnO3 、 Mg0.2Zn0.8O/ZnMn2O4 薄膜，利用 XRD 与 SEM 对薄膜进行表征。以各薄膜为基础，构建了不同结构的阻 变器件，研究了各器件的阻变性能。主要内容和成果如下： (1) 研究了退火温度对 Ag/Mg0.2Zn0.8O/p++-Si 器件的阻变性能影响。不同退火温度 得到的器件都具有优异的双极性电阻开关特性。器件在高阻态的导电机制为肖特基势 垒发射，在低阻态的导电机制为导电细丝传导。经过 100 次循环测试后，不同温度退 火的器件均无明显的阻变特性。 (2) 研究了退火温度对 Ag/La0.67Ca0.33MnO3/p++-Si 器件的阻变性能的影响。不同 温度退火的器件具有双极性的开关特性，器件在高阻态的导电机制遵循肖特基势垒发 射，在低阻态的导电机制为 SCLC。通过 1000 次循环测试可知，650℃ 和 700℃退火 的器件比经 600℃ 和 750℃退火的器件具有更好的抗疲劳特性。随着退火温度的增 加，器件的置位电压改变不大，复位电压变小，分布变集中。 (3) 在 p++-Si 衬 底 上 制 备 了 具 有 优 异 双 极 性 电 阻 开 关 特 性 的 Ag/MZO/LCMO/p++-Si 异质结构器件。器件表现出优异的、多级的电阻开关特性。器 件在高阻态与低阻态的导电机制分别为肖特基势垒发射与 SCLC。经过循环测试，器 件表现出良好的抗疲劳特性与保持特性。置、复位电压分布较集中。以 Pt/TiO2/SiO2/Si 为衬底制备了 Ag/MZO/LCMO/Pt 器件与 Ag/LCMO/MZO/Pt 器件，由于器件的堆叠顺 序不同，得到了两种不同类型的开关类型，器件的置、复位电压相差较大，两种结构 器件的导电机制也不同，其抗疲劳特性也有差异。 (4) 以 p++-Si 为 衬 底 制 备 了 具有双极性 与 多级 电阻 开关特性的 Ag/Mg0.2Zn0.8O/ZnMn2O4/p++-Si 异质结构器件。器件在高、低阻态的导电机制分别为 肖特基势垒发射和 SCLC。器件经过 1000 次循环测试和 106s 测试后，高、低阻态阻 值无明显变化，表现出了良好的抗疲劳特性和保持特性。统计了器件的 100 次置、复 位电压分布可得：器件的置位电压较小，复位电压较大。 关键词：溶胶-凝胶；器件；异质结 *本项研究得到国家自然科学基金（No的资助 I Abst Abstract Abstract With the rapid development of the science and technology, the traditional non-volatile memories (NVM) Flash memory devices based on silicon suffer from the physical limit scaling problem, which has limited the future development of NVM. Hence, searching for the next generation NVW has been widely concerned and studied. Resistance random access memory (RRAM) is considered of the powerful candidates for the next generation of NVW devices due to the low power consumption, high integration density, high operation speed, excellent durability, long retention, multistate switching and compatible with CMOS technology. In this pape