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第2章 集成逻辑门电路;2.1 分立元件门电路;3、分立元件门电路和集成门电路;2.1.1二极管门电路 1.半导体的开关特性;半导体二极管最显著的特点是具有单向导电性能。; （一）静态特性 1、半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性 半导体二极管的结构示意图、符号和伏安特性如下图所示。; 2、半导体二极管的开关作用 ⑴开关应用举例 下图是最简单硅半导体二极管开关电路。输入电压为uI,其低电平UIL＝－2V,高电平为UIH＝3V。 ① uI ＝UIL时，半导体二极管反偏，D处于反向截止区，如同一个断开了的开关，直流等效电路如图(b)。 ② uI ＝UIH时，半导体二极管正偏，D工作在正向导通区，如同一个具有0.7V压降、闭合了的开关，直流等效电路如图(c)。 ; ⑵、静态开关特性 硅半导体二极管具有下列静态开关特性： ① 导通条件及导通时的特点： 当外加正向电压UD＞0.7V时，二极管导通，硅半导体二极管如同一个具有0.7V压降、闭合了的开关。 ② 截止条件及截止时的特点： 当外加正向电压UD＜0.5V时，二极管截止，硅半导体二极管如同一个断开了的开关。; （二）动态特性 1、二极管的电容效应 二极管存在结电容Cj和扩散电容CD， Cj和CD的存在极大地影响了二极管的动态特性，无论是开通还是关断，伴随着Cj、CD的充、放电过程，都要经过一段延迟时间才能完成。; ⑴ 开通时间 当输入电压uI由UIL跳变到UIH时，二极管D要经过延迟时间td、上升时间tr之后，才能由截止状态转换到导通状态。半导体二极管的开通时间为：ton=td＋tr ;3、二极管与门 1）电路组成及逻辑符号;⑴ 电压关系表 ① uA=uB=0时，D1、D2均导通 uY=uA+uD1=uB+uD2=0+0.7V=0.7V ② uA=0、uB=3V时，由于uA、uB电平不同，当D1导通后，使 uY=uA+uD1=0+0.7V=0.7V 导致 uD2=uY－uB=0.7－3＝－2.3V，故D2截止。D1导通后，uY被钳位在0.7V。 ③ uA=3V、uB=0V时，与②类似， D2导通，D1截止， D2导通后，uY被钳位在0.7V。 ④ uA=3V、uB=3V时，D1、D2都导通。uY被钳位在3.7V。;返回;4、 二极管或门;2）工作原理;返回;2.1.2 晶体管门电路; 一、静态特性 1、结构示意图、符号和输入、输出特性 半导体三极管的结构示意图、符号如下图所示。; 半导体三极管的输入、输出特性如下图所示。; 2、半导体三极管的静态开关特性 ⑴ 饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件：三极管基极电流iB大于其临界饱和时的数值IBS时，饱和导通。 饱和导通时的特点：对于硅三极管，饱和导通后 uBE≈0.7V，uCE＝UCES≤0.3V 如同闭合的开关。; ⑵ 截止条件及截止时的特点 截止条件： uBE＜Uo＝0.5V 式中，Uo是硅三极管发射结的死区电压。 截止时的特点：iB≈0，iC≈0 如同断开的开关。; 二、动态特性 半导体三极管和二极管一样，在开关过程中也存在电容效应，都伴随着相应电荷的建立和消散过程，因此都需要一定时间。; ⑴ 开通时间 当输入电压uI由UIL＝－2V跳变到UIH＝3V时，三极管需要经过延迟时间td和上升时间tr之后，才能由截止状态转换到饱和导通状态。开通时间为 ton=td＋tr ;2、 三极管非门;设输人信号为+5 V或0V: (1) A=0V时，三极管截止，Y=5 V。 (2) A=5 V时，三极管工作于饱和状态，Y=0.3 ≈ 0 V。 ; 若用A、Y分别表示uI、uO，用0表示低电平，用1表示高电平。则可由左下表所示的电压关系表得到右下表所示的真值表。由右下表可知，下图所示电路实现了非逻辑功能 ，是一个三极管组成的非门。; 1）高电平和低电平：高电平和低电平是两种状态，是两个不同的可以截然区别开来的电压范围。 右图2.4～5V范围内的电压，都称为高电平，用UH表示。 0～0.8V范围内的电压，都称为低电平，用UL表示。 2）正逻辑和负逻辑：用1表示高电平，用0表示低电平，称为正逻辑赋值，简称正逻辑。用1表示低电平，用0表示高电平，称为负逻辑赋值，简称负逻辑。;2. 2 TTL集成逻辑门电路; 2、工作原理 ①、当电路输入端A接高电平（3.6V）时;②、当电路输入端接低电平(0V)时; 输入特性是指输入电流与输入电压之间的关系曲线，