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* 第2章 三极管及其放大电路 2.7 场效应晶体管放大电路 * 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 场效应管分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 2.7.1场效应晶体管简介 D S G N 符号 1. 结型场效应管 （1）结构 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S （2）工作原理 N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 在漏极与源极间电压一定时，漏极电流iD的大小取决于沟道的电阻，当材料电阻率和沟道长度一定时，沟道的电阻，主要由导电沟道的有效截面积决定，因此，通过改变导电沟道的截面积，就可以控制漏极电流iD的大小。 1）沟道电流的可控性 iD 2）栅源电压改变沟道大小 当漏极与源极之间的电压不变时，改变两个PN结耗尽层的大小，就可以控制导电沟道的有效截面积的大小，也就改变沟道的导电能力。在栅极和源极之间加上负电压（即uGS 0），此时两个PN结均为反向偏置，加大这个反偏电压，耗尽层不断变宽，沟道的导电截面积逐渐减小，沟道电阻就随之增大，漏极电流iD将减小。当减小栅源间的反向偏置电压时，漏极电流将增大。这就是结型场效应管的简单工作原理。 (a)改变 UGS ，改变了 PN 结中电场，控制了 ID ，故称场效应管； (b)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压，使 PN 反偏，栅极基本不取电流，因此，场效应管输入电阻很高。 3）结论 (3)特性曲线 转移特性测试电路(N 沟道结型场效应管为例) O UGS ID IDSS UP 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UP (ID = 0 时的 UGS) UDS ID UDD UGG D S G V ? + V ? + UGS + ? mA 1）转移特性 1）转移特性 O uGS/V ID/mA IDSS UP 转移特性曲线 2）输出特性 　　当栅源 之间的电压 UGS 不变时，漏极电流 ID 与漏源之间电压 UDS 的关系，即 结型场效应管转移特性曲线的近似公式： ≤ ≤ UGS = 0 ，ID 最大；UGS 愈负，ID 愈小；UGS = UP，ID ? 0。 　　输出特性有四个区：可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。 2） 输出特性 IDSS uDS=0 时输出特性曲线 　　场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。 UDS = 常数 ID/mA 0 -0.5 -1 -1.5 UGS /V UDS = 15 V 5 ID/mA UDS /V 0 UGS = 0 -0.4 V -0.8 V -1.2 V -1.6 V 10 15 20 25 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 　　结型场效应管栅极基本不取电流，其输入电阻很高，可达 107 ? 以上。如希望得到更高的输入电阻，可采用绝缘栅场效应管。 在输出特性上用作图法求转移特性 2.　绝缘栅型场效应管 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 (1) N 沟道增强型 MOS 场效应管 1) 结构与符号 以P型材料为衬底，在其上制作两个N型区（用N+ 表示），引出两个电极作为源极s和漏d，再在表面上覆盖一层二氧化硅 SiO2绝缘层，并在两个N+ 区之间的绝缘层外蒸发一层金属铝作栅极g。衬底引出引线B，将它与源极连在一起。图（b）是其电路符号，其箭头的方向表示由P型衬底指向N型沟道。 图 (