射频磁控溅射沉积CuAlO2薄膜的工艺优化与性能研究-集成电路工程专业毕业论文.docxVIP

A A Dissertation Submitted to Guangdong University of Technology for the Degree of Master (Master of Engineering) Preparation Process Opimazation and Porperties of CuAl02 F．|mS Prepared By RF Mag netron Sputtering 一 Cand idate：J icheng Xu Supervisor：Prof Zhiwei Xie June 2016 School of Materials and Energy Guangdong University of Technology Guangzhou，Guangdong，PR．China，51 0006 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 CuAl02是一种具有较好的电导率和较高的透光性的半导体材料，广泛应用于光电 子领域。但是其电导率相较于n型TCO材料仍然低了许多，提高CuAl02的电导率成 为了近年来研究的重点。本文采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备CuAl02薄 膜。 通过X射线衍射仪对制备的样品进行物相分析；用扫描电镜(SEM)对样品表 面形貌进行分析；用紫外一可见光分光光度计测试薄膜的可见透光率，对不同氧氩比、 衬底温度和退火温度制备的薄膜样品进行了DSC和热容测试。得到以下结论： 1)在氧氩比为1：4、溅射气压为1Pa、溅射功率为120w、退火温度为900℃、退火时 间为2h的条件下，不同的衬底温度会对薄膜的微观组织和光学性能产生一定影响。 衬底温度低于300℃时，薄膜的衍射峰很低，没有出现明显的晶粒边界。衬底温 度为400℃和500℃时，薄膜出现了(006)、(101)等衍射峰，晶粒大小均匀， 薄膜表面致密平整。薄膜的平均透射率都较高，最高达到79．8％。薄膜的吸收峰 向短波长方向移动，发生了蓝移现象。 2)在衬底温度为400℃、溅射气压为1Pa、溅射功率为120w、退火温度为900。C、 退火时间为2h的条件下，随着反应气体中氧气含量的增加，薄膜的(006)、(101) 和(012)衍射峰逐渐加强；薄膜的光学透过性也表现出先增加后减小的现象。氧气 含量高于40％时，薄膜出现了CuO杂相。 3)在衬底温度为400℃、氧氩比为1：4、溅射功率为120w、退火温度为900。C、退 火时间为2h、溅射气压为1-4Pa的条件下，CuAl02薄膜只出现了(101)和(104) 的衍射峰；随着溅射气压的增大，薄膜的晶粒尺寸先增加后减小，溅射气压过大， 表面开始出现微裂痕；薄膜在可见过区域的平均透射率都比较高，但是在2Pa时 是最高的，达到74．6％。 4)在衬底温度为400℃、氧氩比为1：4、溅射气压为2Pa、溅射功率为120w，当退 火温度逐渐从800。C上升到900℃时，薄膜的(101)衍射峰逐渐增强，退火温度 为900℃时达到最强。但是温度升高到950。C时，薄膜开始出现脱落现象。退火温 度为900。C平均透射率最高为74．7％，对应的禁带宽度为3．60eV 5)在衬底温度为400℃、氧氩比为1：4、溅射气压为2Pa、溅射功率为120w、退火 T 万方数据 广东工业大学硕士论文温度为900℃、退火时间为2h时，CuAl02薄膜(101)的衍射峰最强。火时间继 广东工业大学硕士论文 温度为900℃、退火时间为2h时，CuAl02薄膜(101)的衍射峰最强。火时间继 续延长时，薄膜的衍射峰逐渐消失；薄膜在可见光范围内的平均透射率没有明显 的变化。 6)综上所述，制备CuAl02薄膜的最优工艺条件为：氧氩比为1：4、溅射气压为2Pa、 衬底温度为400℃；最优退火工艺条件为：退火温度为900℃、退货时间为2h。 7)不同的氧氩比和衬底温度对薄膜的热稳定性的影响不是很大：在氮气气氛中 CuAl02薄膜在900℃以下，DSC曲线没出现反应峰；900℃以上，DSC曲线出现反 应峰；样品在50～298℃热容缓慢增加；样品热容曲线连续平滑，没有发生异常变 化。 8)不同的退火温度对薄膜的热稳定性有一定的影响：退火温度为1000℃时，样品在 25～1050。C的DSC曲线上都没出现反应峰；退火温度为900℃时，样品在900℃以 下没出现反应峰，900℃以上出现一个微弱的反应峰。 关键词：CuAl02薄膜；磁控溅射；衬底温度；透光性；禁带宽度；表面形貌。 II 万方数据 ABSTRACTAB ABSTRACT AB STRACT CuAl02 is kind of semiconductor materials with excellent electrical properties and