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关于旁路电容的深度对话（第一部分） 作者：David Ritter, Tamara Schmitz 应用工程师 Intersil 公司 编辑引言：通过一次关于基本知识的对话，让我们深入考察那没有什么魅力但是极其关键的旁路电容和去耦 电容。 编辑引言：旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件，一般来说，在许多专题特写中不把它作为主题， 但是，它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。来自Intersil 公司的作者David Ritter 和Tamara Schmitz 参加了关于该主题的进一步对话。本文是对话的第一部分。Dave 和Tamara 信仰辩论的价值、教育的价值以 及谦虚地深入讨论核心问题的价值；简而言之，为了获取知识而展开对一个问题的讨论。下面请“聆听”并学习。 David: 有一种观念认为，当我们做旁路设计时，我们对低频成分要采用大电容(微法级)，而对高频成分要采 用小电容(纳法或皮法级)。 Tamara: 我赞成，那有什么错吗？ David: 那听起来很好并且是有意义的，但是，问题在于当我在实验室中验证那个规则时并未得到我们想要的 结果！我要向您发出挑战，Tamara 博士。 Tamara: 好啊！我无所畏惧。 David: 让我们看看，你有一个电压调整器并且它需要电源。电源线具有一些串联阻抗(通常是电感以及电阻)， 这样对于短路来说，它在瞬间提供的电流就不会出现大变化。它需要有一个局部电容供电，如图1 所示。 图1：旁路电容的功能。 Tamara: 我到目前均赞成你的观点。那就是旁路的定义。Dave，接着说吧。 1 David: 例如，有些人可能用0.1 μF 电容进行旁路。他们也可能用一个1000pF 的电容紧挨着它以处理更高的 频率。如果我们已经采用了一个0.1 μF 的电容，那么，紧挨着它加一个1000pF 电容就没有意义。它会增加 1%的容值，谁会在意？ Tamara: 然而，除了电容值之外，有更多要研究的内容。这两种数值的电容均不理想。 David: 我们必须考察0.1 μF的实际电路；它存在有效串联电阻(ESR)以及有效串联电感(ESL)。 Tamara: 有时候，你还要把介质损耗一项当成一个并联电阻来考虑，如图2 所示。 图2：旁路电容的模型。 David: 现在，当我们遇到具有瞬态特性的这一损耗时，我们假设0.1 μF 电容的ESL 远远大约1000pF 的电 容。我们需要某一器件在短期内供电，因ESL 的存在而让0.1 μF 的电容做不到这一点。假设就在于1000pF 的电容具有更低的ESL，因此，能够提供更好的电流。 Tamara: ESL 与你获得以及封装的电容的类型有关。其数值可能完全独立于电容本身的尺寸和数值，如图3 所示。 David: (显示出对年轻同事所具有的知识的惊讶) Tamara: 我曾经看到过一些人把100 nF、10 nF 和1 nF 的电容分级并联起来使用，它们可能均采用相同的 封装，例如0402，因为这些电容通常就是采用这种封装形式。然而，每一种0402 封装均具有相同的ESL， 因为它们具有相同的电感以及相同的高频响应，因此，这么安装电容于事无补。 2 图3：旁路电容的阻抗。 David: 我们在实验室中所发现的问题在于，各种封装均是类似的。我们所采用的大多数陶瓷电容均为面积是 0805 或0603 的电容。我测试发现，把0603 0.1 μF 电容挨着0603 100pF 电容安装，效果上不如仅仅采用 两个0603 0.1 μF 的电容。 Tamara: 那是完全有可能。我猜测，你所处的频率范围就是0603 0.1 μF 电容被最优化的频率范围。 图4：相同尺寸和不同尺寸的电容的阻抗比较。 David: 是的，ESR 和ESL 是原数值的一半且非常管用。在这些应用中，我所研制的开关调整器的工作频率 大约为1MHz。 3 Tamara: 在你的情况下，要调整电容的数值以及封装，以改善对你没有兴趣的那个频率范围的旁路网络。图 4 假设我们谈论的是相同类型的电容(