郑州华信学院电工电子技术课件第七章 常用半导体器件.pptVIP

第7章 常用半导体器件;7.1 半导体二极管 7.2 半导体三极管 ;7.1 半导体二极管;热激发产生自由电子和空穴;空穴运动;在纯净半导体中掺入某些微量杂质，其导电能力将大大增强。;P型半导体;无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。;2．PN结及其单向导电性; 多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动产生的， IR很???，这时称PN结处于截止状态。;7.1.2 半导体二极管;2．半导体二极管的伏安特性曲线;3．半导体二极管的主要参数;7.1.3 稳压管;7.2 半导体三极管;NPN型;7.2.2 电流分配和电流放大作用;实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。;2．输出特性曲线;7.2.4 三极管的主要参数