β-Ga2O3Cr单晶体的浮区法生长及光学特性ViewTableofContents.PDFVIP

β-Ga O :Cr单单晶晶体体的的浮浮区区法法生生长长及及光光学学特特性性 2 3 夏长泰 Citation: 中国科学E辑: 技术科学 37, 370 (2007); doi: 10.1360/ze2007-37-2-370 View online: http://engine. /doi/10.1360/ze2007-37-2-370 View Table of Content : http://engine. /publi her/ cp/journal/Sci Sin Tech E/37/2 Publi hed by the 《中国科学》杂志社 Articles you may be interested in LiNbO 单晶体中生长区边界处的界面 态和错配 3 Chine e Science Bulletin 25, 256 (1980); 新型非线性光学晶体硼酸铋(BiB O )的晶体生长和性能 3 6 Chine e Science Bulletin 46, 987 (2001); 新型紫外倍频晶体β-BaB O 的光学性能和生长 2 4 Science in China Serie B-Chemi try , Biological, Agricultural, Medical Earth Science (in Chine e) 14, 598 (1984); 坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测 Chine e Science Bulletin 46, 1132 (2001); FeSi 单晶化学气相生长 2 Science in China Serie A-Mathematic (in Chine e) 32, 907 (2002); 中国科学 E 辑:技术科学 2007 年 第37 卷 第3 期: 370~374 SCIENCE IN CHINA PRESS β -Ga O :Cr 单晶体的浮区法 2 3 生长及光学特性 ①② ③ ①* ① ④ ① 张俊刚 李 斌 夏长泰 徐 军 邓 群 徐晓东 吴 锋① ④ ④ ①② ① 徐悟生 史宏生 裴广庆 吴永庆 (① 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800; ② 中国科学院研究生院, 北京 100039; ③ 中国科学院上海应用物理研究所, 上海 201800; ④ 通用电气中国研究开发中心有限公司, 上海 201203) 摘要 利用浮区法生长得到β -Ga O :Cr 单晶体. 在室温下测试了β -Ga O :Cr 2 3 2 3 单晶体的吸收光谱和发射光谱. 通过吸收光谱计算了晶体场分裂系数Dq 和 Racah 系数, 得到 10D /B = 23.14, 表明 Cr3+在β-G