下一代重要材料β-Ga-化合物半导体.PDFVIP

技术 | Technology – 材料 β 下一代重要材料 -Ga O 2 3 MOCVD生长速度的增加为器件开发奠定了基础 AGNITRON TECHNOLOGY 公司 Ross Miller ，Fikadu Alema 和Andrei Osinsky 报道 化镓（Ga O ）是一种非常有前途的材料， 克服。我们的努力表明，通过采用正确的方法， 氧 2 3 可以用于制造功率器件和光电器件。它具 MOCVD 已证明可支持高达每小时10 微米的生长 有很好的固有特性，初步器件测试表明，在高压 速度，这比以前的沉积速率高出一个量级以上； 开关中它可以比SiC 和GaN 功率器件更具有优势。 此外，还有比以前高得多的电子迁移率；而铝的 更重要的是，它有可能生产出高性能的日盲（太 含量可以达到互补AlGaO 合金40％以上。 阳光盲）紫外光电探测器。 这种超宽带隙材料有五种不同的晶型。最有 本征衬底 希望的是单斜晶多态型 -Ga O 。由于掺杂控制可 基于 -Ga O 技术的另一个吸引力在于可以 β 2 3 β 2 3 15 -3 20 -3 以从1 ×10 cm 直到 1 ×10 cm ，因此它具有非 获得本征衬底，这就克服了外延层和衬底晶格不 常大的4.9eV 带隙能量，以及导电率可在很大范 匹配时，需要特殊的技术才能够实现高质量外延 围内变化的独特组合。因为拥有这些特性，-Ga O 层的生长。这种基础材料可以通过若干种技术实 β 2 3 可以承受可能导致SiC 和GaN 失效的电场强度。 现，包括边缘定义的薄膜馈电生长和Czochralski 阻碍 -Ga O 基器件进展的是其外延层生长 技术。 β 2 3 方面的弱点。MOCVD ，MBE 和HVPE 都有缺点 生产本征衬底的一个巨大优势是它能够用来 限制了 -Ga O 及其相关合金厚膜的快速沉积， 生长极低缺陷密度的外延膜。这是生产具有高临 β 2 3 并且缺少支持功率器件和光电探测器商业化所需 界电场强度的电力电子器件的先决条件，因为缺 的材料性能。 陷是器件低于预期电场击穿的主要原因。 但是根据我们在位于明尼苏达州伊甸草原 此外，熔融技术，特别是用于制造无数硅衬 的Agnitron 科技公司的工作，这些问题并非不可 底的Czochralski 技术，已经通过扩大生产规模实 现了低的材料成本。假设有足够的需求，人们预 期 -Ga O 衬底的成本应该可以逐渐地与硅和蓝