重庆大学模拟电子技术课件 N2.pptVIP

第一章 半导体器件 本章内容： 我们将对教材中的第一章包含 二极管、稳压管、 晶体三极管和 场效应管等半导体器件的工作原理、伏安特性等方面的内容进行总体阐述。 即：首先介绍半导体中的载流子和半导体的导电规律，再研究PN结的原理、特性；然后介绍在模拟电路中所用到的半导体二极管、双极型三极管、场效应管的工作原理、数学模型（特性曲线）、主要参数；并分析讨论由这些管子组成的几种简单的应用电路。 关键词：“管为路用” 在这一章将着重阐述一些基本 概念。 对于半导体器件，必须本着“管为路用” 的原则，重点阐述器件的外部特性，以便我们在研究电路工作原理时能正确使用和合理选择这些器件。 “管”→→→即：二极管、晶体管等半导体器件 “路”→→→即：电路 第一节 半导体的基础知识 一、导体、绝缘体和半导体 导 体：在日常生活中和生产实践中很容易导电的一些金属材料。如：铜、铁、银等 绝缘体：很不容易导电的，尽管加上很高的电压，仍然很难产生电流的材料，如：橡皮、塑料、玻璃、陶瓷等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的这一类材料， 如：硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。其中硅材料用得最广，它是当前制作集成器件的主要材料，而砷化镓则主要用制作高频高速器件的。 二、本征半导体： 本征半导体： 纯净的（无杂质或没有掺杂的）半导体称为本征半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等。 硅单晶：纯净的（仅含硅原子的）半导体； 锗单晶：纯净的（仅含锗原子的）半导体； 共价键：共价键就是相邻两个原子中的价电子为共用电子对而形成的相互作用力。 注 意：锗、硅材料它们都是四价元素，在其原子结构的外层轨道上有四个价电子，其导电性能与价电子有关。（详见下图：） 1、锗、硅原子结构： 注 意：锗、硅材料它们都是四价元素，在其原子结构的外层轨道上有四个价电子，其导电性能与价电子有关。（详见上图：） 四价元素单晶共价键结构： 由上图可见，在锗、硅单晶晶格中，各原子都是有规则地排列着，并通过由价电子组成的共价键把相邻的原子固牢地联系在一起。而共价键就是相邻两个原子中的价电子为共用电子对而形成的相互作用力。 结论 一般来说： 本征半导体，在热力学温度T=0k（开尔文）和没有外界影响如：光照、加热、外加电场等的条件下，其价电子均被束缚在共价键中，不存在自由运动的电子，所以不带电。  2、几个概念： （1）本征激发：当本征半导体的温度升高或受到光照时，某些共价键中的价电子从外界获得能量而挣脱共价键的束缚，离开原子而成为自由电子的同时，在共价键中会留下数量相同的空位子→→→空穴。这种现象称为本征激发。 　　　本征激发形成: 电子 - 空穴对 （2）自由电子：价电子获得外部能量后挣脱共价键的束缚成为自由电子，带负电荷。 （3）空 穴：价电子成为自由电子后在共价键中留下的空位，带正电荷。 （4）电子-空穴对：本征激发形成电子-空穴对。 （5）漂移电流： 自由电子在电场作用下定向运动形成的电流称为漂移电流。 （6）空穴电流： 空穴在电场作用下定向运动形成的电流称为空穴电流。 因为 相对于电子电流，价电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在与价电子运动相反的方向运动，因而空穴相对来说带正电荷，故其运动形成空穴电流。 （7）复 合： 自由电子在热运动过程中和空穴相遇而释放能量，造成电子-空穴对消失，这一过程称为复合。 空穴的相对运动形成空穴电流 结 论： 在半导体中存在两种载流子（运动电荷的载体）即：自由电子→→带负电 ； 空 穴→→带正电 。 在电场作用下，电子的运动将形成电子电流，而空穴的运动则形成空穴电流， 在同一电场作用下，两种载流子的运动方向相反，是因为它们所带的电荷极性也相反，所以两种电流的实际方向是相同的。 电子电流与空穴电流的总和即半导体中的电流。 3、热平衡载流子浓度 又称为本征载流子的浓度 　在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合都在不停地进行，最终处于一种平衡状态→→→动态平衡，使半导体中载流子的浓度一定。 可以证明：热平衡载流子浓度（即单位体积内的载流子数）的值为ni，ni表示自由电子浓度值或空穴浓度值： 上式中的各参数的意义和值可见教材P3 从上式可知，本征载流子浓度ni与温度有关，能随温度升高而迅速增大，这一点在今后的学习中非常重要。 注意：ni的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的百分数，比如：硅的原子密度为 4