西北师范大学模拟电子技术基础课件三 半导体三极管及放大电路基础.pptVIP

西北师大物电学院 3.2 共射放大电路 一．三极管的放大原理 三极管工作在放大区： 发射结正偏， 集电结反偏。 静态工作点稳定电路 1. RC低通网络 图3.7.1 低频电路及其频率响应 2. RC高通网络 图3.7.3 高通电路及频率响应 二.BJT的高频响应 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理模型而建立的。 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型。 3. BJT的频率参数fβ、fT 由β定义： 做出β的幅频特性和相频特性曲线。 三极管β的幅频特性和相频特性曲线 1. 静态工作点 直流通路与射极偏置电路相同 2. 动态指标 ①电压增益 输出回路： 输入回路： 电压增益： 2. 动态指标 ② 输入电阻 ③ 输出电阻 3. 三种组态的比较 电压增益： 输入电阻： 输出电阻： 3.7 放大电路的频率响应 频率响应——放大器的电压放大倍数 与频率的关系 下面先分析无源RC网络的频率响应 RC低通电路 （1）频率响应表达式： 一. 无源RC电路的频率响应 H RC V V w w w j 1 1 j 1 1 i o + = + = v A . = . . 式中 RC H 1 = w 。 v A 的 模、上限截止频率 和 相角 分别为 . 最大误差 -3dB 幅频响应 0分贝水平线 斜率为 -20dB/十倍频程 的直线 相频响应 （2） RC低通电路的波特图 RC低通电路的频率特性曲线 可见：当频率较低时，│AV │ ≈1，输出与输入电压之间的相位差=0。随着频率的提高， │AV │下降，相位差增大，且输出电压是滞后于输入电压的，最大滞后90o。在此频率响应中，上限截止频率fH是一个重要的频率点。 式中 下限截止频率、模和相角分别为 （1）频率响应表达式： w w w w / j 1 1 / j 1 1 / 1 i o L RC C j R R V V - = - = + = v A = . . . RC高通电路的频率特性曲线 （2） RC高通网络的波特图 可见：当频率较高时，│AV │ ≈1，输出与输入电压之间的相位差=0。随着频率的降低， │AV │下降，相位差增大，且输出电压是超前于输入电压的，最大超前90o。在此频率响应中，下限截止频率fL是一个重要的频率点。 ---发射结电容， ---集电结电阻 ---集电结电容 rbb ---基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。 三极管的物理模型 1.BJT的混合π型模型 --- 发射结电阻 r e （1）物理模型 高频混合π型小信号模型电路 这一模型中用 代替 ，这是因为β本身就与频率有关，而gm与频率无关。 （2）用 代替 （Cμ） （Cπ） rb’c很大，可以忽略。 rce很大，也可以忽略。 （3）简化的混合π模型 将Cμ等效到输入端，条件是流过电容器Cμ的电流不变。 从输出端等效Cμ？ 合并电容 很小 低频时，混合?模型与H参数模型等效 所以 又 rbe= rb + (1+ ? ) re 2. 混合π参数 的估算 又因为 所以 bo ：低频电流放大系数 m g e b b e b   ≈ r I V e b m 0Ib V g b =  . . ’ ’ ’ . . T E e b m V I r g  b T E e b m V I r g ≈ ≈  b0 ’ IC= gm Ub’e=βo Ib . . . 由可求出共射接法交流电流放大系数。 μ π e b e b b )] ( + ) / 1 [( C C j r V I + = w . . e b m c V g I = . . . ) ( 2 1 c b e b C C Rb’e f + = p b ：共射截止频率, 一般fβ与Cb’c已知，通过此式可求C b’e即Cπ = Cπ 1 f b 2 e b r p c b C 1 ) ( 1 0 c b e b e b e b m f j C C r j r g + = + + b w b = f b . 0 b c ce = = V I I b . . . 约去V b’e，分母通分 温度对UBE的影响 iB uBE 25 oC 50oC T UBE曲线左移 IB IC 温度对?值及ICEO的影响 T ?、 ICEO IC iC uCE Q Q′ 总的效果是： 温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q点上移。 总之： T IC 常