新 疆大学信息科学与工程学院电子线路（线性部分）课件第二章第一节 放大模式下晶体三极管的工作原理.pptVIP

第二章 晶体三极管 前言 晶体三极管是一种具有正向受控作用的半导体器件，它的内部有两个背靠背排列的PN结(不能用两个二极管对接而成)。按结构划分，三极管有NPN型与PNP型两种。 2.1 教学要求 1、掌握晶体三极管放大模式下的电流分配关系式 2、熟悉三极管放大、饱和、截止三种模式的工作条件及性能特点 3、熟悉三极管的数学模型、直流简化电路模型，共E电路曲线模型及小信号电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合 4、熟悉三极管放大电路的三种分析方法：估算法；图解法及小信号等效电路法。能熟练利用估算法判断三极管的工作模式 5、本章2.3节、2.7、2.8根据教学需要，可作为扩展内容。 2.2 基本内容 晶体三极管的内部结构特点: 发射区高掺加 基区很薄 集电结面积大 2.2.1 放大模式下电流分配基本关系式 2.2.2 三极管的通用模型---伏安特性曲线 2.2.3 三极管的简化模型 1、放大模式下三极管的模型 数学模型（指数模型） 直流简化电路模型 交流小信号电路模型 2、饱和与截止模式下三极管的模型 2.2.4 三极管电路分析方法 先进行直流分析，后进行交流分析 1、直流分析方法——分析IBQ、ICQ、VCEQ 可采用图解法或估算法 2、交流分析方法——分析Av、Ri、R0 可采用图解法与小信号等效电路方法 2.2.5 放大器的构成 电路都是以三端器件（三极管、场效应管）为核心，再配以合适的管外电路而组成 第一节 放大模式下晶体三极管 ————————的工作原理 * * 第二章 晶体三极管 第二章 前言 第一节 放大模式下晶体三极管的工作原理 第二节 晶体三极管的其它工作模式 第三节 埃伯尔斯-莫尔模型 第四节 晶体三极管的伏安特性曲线 第五节 晶体三极管的小信号电路模型 第六节 晶体三极管电路分析法 第七节 晶体三极管应用原理 NPN型管与PNP型管工作原理相似，但由于它们形成电流的载流子性质不同，结果导致各极电流方向相反，加在各极上的电压极性相反。 1、结构： 它的基本组成部分，是两个靠得很紧，而且是背对背的PN结。 结构示意图（a） E C B P N N 结构示意图（b） E C B N P P 第一节 放大模式下晶体三极管的工作原理 根据杂质半导体的排列方式不同，晶体三极管有两种不同的类型，并且只有两种类型。 即 NPN型与 PNP型 NPN型电路符号 E B C E C B PNP型电路符号 E C B P N N 集电结 CB结 发射结 EB结 集电极 基极 发射极 集电区 基区 发射区 晶体三极管的主要特性与它的工作状态有关： （1）、放大状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外加反偏电压。这种作用是实现放大器的基础。 （2）、饱和状态：定义为发射结外加正偏电压，集电结外加正偏电压。 （3）、截止状态：定义为发射结外加反偏电压，集电结外加反偏电压。 这两种模式呈现受控开关特性，实现开关电路的基础。 2、晶体三极管的主要特性： 1、内部载流子传输过程： 晶体三极管的两个PN结是通过基区产生耦合作用，连接在一起的。 E C B P N N 以NPN型晶体三极管为例： 分析：晶体三极管处于放大模式下，载流子传输过程。 C E B P N N IEp IEn R2 V2 V1 R1 ICp ICn2 ICn1 IC IB IE ICBO （1）、发射区向基区注入载流子的过程： 发射结正偏后，形成的正向扩散电流，是由发射区和基区得多子通过PN结而形成。 即 IEn + IEp 方向由P区指向N区 式中 IEn 为电子电流； IEp 为空穴电流。 C E B P N N IEp IEn R2 V2 V1 R1 ICp ICn2 ICn1 IC IB IE ICBO 为满足电中性条件： 必须通过外电路向发射区补充电子，因此，外电路的电流为 IE = IEn + IEp （IE 的方向为发射极流出） C E B P N N IEp IEn R2 V2 V1 R1 ICp ICn2 ICn1 IC IB IE ICBO （2）、集电结收集电子的过程： 由发射区向基区注入电子为基区的非平衡少子，在浓度梯度的影响下，边扩散、边复合，向集电结边界运动。并且，在集电结反偏电场的作用下，快速通过PN结，进入集电区形成电子电流。 C E B P N N IEp IEn R2 V2 V1 R1 ICp