新 疆大学信息科学与工程学院电子线路（线性部分）课件第四章第三节 基本组态放大器.pptVIP

4.3 基本组态放大器 4.3.1 三种组态放大器的实际电路 4.3.2 共发、共基和共集放大器的性能 一、共发放大器 二，共基放大镜 三、共集放大器 四、小结 4.3.3 改进型放大器 一、组合放大器(Combination Amplifier) 二，发射极接电阻RE的共发放大器 三、采用有源负载的共发放大器(Common Emitter Amplifier with Active Load) 4.3.4 共源、共栅和共漏放大器的性能 一、共源放大器 二、共栅放大器 三、共漏放大器 四、小结 4.3.5 集成MOS放大器 1．E/E 和 E/D MOS放大器 2．CMOS放大器 若计及rds，且满足rds1/gm，则经推导求得 (4-3-29) 相应的交流通路和交流等效电路分别如图4-3-13(a)和(b) 所示。 由图可见 因而 (4-3-30) (4-3-31) 移去vs，画出推导Ro的电路，如图4-3-13(c)所示 由图可见 所以共漏放大器的输出电阻 (4-3-32) 通过上述分析可见，场效应管三种基本组态放大器的性能 特点与晶体三极管放大器相似。只不过场效应管的ig=0，所 以共源和共漏放大器的输入电阻和电流增益均趋于无穷大。 此外，在相同静态电流下，场效应管的gm远比晶体三极管 小，从而导致共源和共栅放大器的电压增益远比相应的共 发和共基放大器小，共栅放大器的输入电阻和共漏放大器 的输出电阻远比相应的共基和共集放大器大。 在MOS集成电路中，为了提高集成度，一般都采用有源 电阻取代占芯片面积较大的集成电阻。根据有源电阻的 不同实现方法，集成MOS放大器分为 E/E MOS、E/D MOS 和 CMOS 三种类型电路。 采用制作N沟道器件(增强型和耗尽型)的NMOS集成工艺时， 放大管和负载管都只能采用NMOS管。其中，放大管普遍采 用EMOS管，负载管可以采用EMOS管，也可以采用DMOS 管。前者称为E/E MOS放大器，后者称为E/D MOS放大器， 分别如图4-3-14(a)和(b)所示。 放大器的电压增益为 (4-3-33) 上式简化为 (4-3-34) 上式又可表示为 (4-3-35) CMOS集成工艺是能够制作N沟道和P沟道增强型MOS器件的MOS工艺。图4-3-17示出了CMOS集成工艺中互补器件的结构示意图。 采用互补MOS器件就可构 成与晶体管放大器类似的 有源负载源放大器，如图 4-3-18所示。 例 已知数据同上例，将其中的RC改为RE，试求共集放 大器性能。 将上述结果列于表4-3-1中，并由此归纳出下列结论： 1．根据 且在电压相等的等效条件下，共 基电路的Ri、共集电路的 Ri 和 Ro 均可用折算的方法求得。 2．三种组态放大器的短路电流增益分别与不同连接时晶 体三极管的电流传输方程相对应。 3. 种组态放大器的电压增益均根据下列表达式求得 根据上面的分析结果和计算实例可以看到,三种基本组态 放大器的性能各有不同的特点。其中，共基放大器的输入 电阻最小，输出电阻最大(不计RC)，有电压增益，但没有 电流增益，不过，其Ain十分接近于1。 共集放大器反之， 但没有 它的输入电阻最大，输出电阻最小，有电流增益， 电压增益，不过，其值十分接近于1。而共发放大器的输 入和输出电阻介于上述两种放大器之中，既有电压增益， 又有电流增益。 三种基本组态放大器的不同性能特点决定了它们在电 路中的不同应用。 就输入和输出电阻而言，共基放大器接近于理想的电 流放大器，不过，它的电流增益小于1，但接近于1，故有 电流接续器之称，即将低阻输入端电流几乎不衰减地被接 续到高阻输出端。而共集放大器接近于理想电压放大器， 不过，它的电压增益小于1，但接近于1，故有电压跟随器 (Voltage Follower)之称，即将高阻输入端电压几乎不衰减 地被跟随到低阻输出端。 共发放大器虽有电压增益和电流增益，但它的输入和输出 电阻却与理想电压或电流放大器相差颇大。如果将它与共 基、共集组态组合，构成组合放大器，就可以改变放大器 的输入和输出电阻，达到所要求的性能。 图4-3-6示出了两种组合放大器的交流通路。其中，图(a) 为共发—共基组合放大器(Cascode Amp．)。利用共基电 路T2，将共发电路T1的输出电流接续到输出负载上，因 此，这种组合放大器的电压增益相当于负载为RL的一级 共发放大器的增益，但它的输出电阻因采用共基电路而大 大提高。 图(b)为共集—共发组合放大器，又称为达林顿电路。利 用共集电路T1，将输入电压几乎不衰减地送到共发电路 T2的输入端，因此，这种组合放