新 疆大学信息科学与工程学院电子线路（线性部分）课件第一章第一节 半导体物理基础知识.pptVIP

第一章 晶体二极管 第一章 前言 第一节 半导体物理基础知识 第二节 PN结 第三节 晶体二极管电路的分析方法 第四节 晶体二极管的应用 第一章 晶体二极管 前言 无论何种用途的电子系统，均由各种功能的电子线路组成。电子线路是指包含有电子器件、并能对电信号实现某种功能处理的电路，它由电子器件加外围电路构成。 因此，要掌握各种功能电路的工作原理、性能特点，首先要了解各种半导体器件的外特性，掌握器件在不同条件下的等效模型及分析方法；然后再根据外部电路提供的条件，分析电路的功能和所能达到的性能。 本章在简要了解半导体基本知识的基础上，重点掌握器件的外特性。熟悉二极管的各种模型，并会利用模型分析功能电路。 1.1 教学要求 1、了解PN结的基本特性 2、熟悉晶体二极管的数学模型，曲线模型，简化电路模型，掌握各种模型的特点及应用场合。 3、熟悉二极管电路的三种分析方法：图解法；简化分析发；小信号分析法。能熟练利用简化分析法分析各种功能电路 4、本章1.4节与1.5节根据教学需要，可作为扩展内容。 第一节 半导体物理基础知识  * 课件制作：地里木拉提.吐尔逊 许 植 常用的电子器件有：晶体(半导体)二极管、三极管、场效应管、集成电路等。外围电路主要由直流电源、电阻、电容以及集成电路中常用的电流源电路等组合而成。不同半导体器件具有不同的特性。而同一种半导体器件，当外围电路提供不同条件时，电路又会呈现不同的功能。 半导体：是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 硅片 一、本征半导体 电阻率在（ —— ） 锗与硅的原子结构模型： +14 +32 （a）硅 (b) 锗 ? (c) 惯性核模型 +4 锗与硅都是单晶体； 硅和锗的单晶体称为本征半导体。 二、本征激发和复合 本征激发： 当温度升高或受到光线照射时，某些共价键中的价电子从外界获得足够的能量，从而挣脱共价键的束缚，离开原子而成为自由电子，同时，在共价键中留下相同数量的空位，这种现象称为本征激发。 实际上,在自由电子-空穴对产生过程中,还同时存在着复合过程,这就是自由电子在热骚动过程中和空穴相遇而释放能量,造成自由电子-空穴对消失的过程. 锗和硅共价键结构示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴在晶格中移动示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 结果： 产生两种载流子， 即自由电子和空穴。 这也是导体和半导体导电不同之处。 由与带负电荷的价电子依次填补空位的作用与带正电荷的 粒子作反方向运动的效果相同，因次，可以把空位看作带正电荷的载流子，并把它称为空穴。 三、热平衡载流子浓度： 当温度一定时，上述本征激发和复合在某一热平衡载流子浓度值（即单位体积内的载流子数）上达到动态平衡。 表示热平衡自由电子浓度值 表示热平衡空穴浓度值 可以证明，热平衡载流子浓度值 或 为： 单位为 式中：A是常数 硅为： 锗为 ： k是波尔兹曼常数 （J为焦耳） Ego是T= 0 K 时，禁带宽度。 硅为：1.21eV 锗为：0.785eV 由上式可知：热平衡载流子浓度值与温度有关，即随温度升高，而迅速增大，导电能力也相应增大。 例如 、 当 T = 300 K 时，可求得： 硅 锗 必须指出： 热平衡载流子浓度值ni (或pi)的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的百分数。 例如：硅的原子密度为 说明本征半导体的导电能力是很低的。 1.1.2杂质半导体 杂质半导体：在本征半导体中，掺入一定量的杂质元素，就成为杂质半导体。 是提高半导体的导电能力。 增加载流子浓度 ，即增加自由电子的浓度或空穴的浓度。 在本征半导体中，掺入少量的五价元素 ，可使自由电子浓度增加，掺入少量的三价元素，可使空穴浓度增加。 按掺入的杂质不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 从目前的角度来看掺杂目的： 掺杂原理： 掺杂方式： N型半导体结构示意图 一、N型半导体：在晶体中自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质 半导体。 特点： 与本征激发产生的载流子浓度相比，N型半导体中自由电子浓度很大，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，空穴浓度反而更小，因此在N型半导体中将自由电子称为多数载流子，简称多子，空穴称为少子，并将五价元素称为施主杂质。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5