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第五节 电流源电路及其应用 (3)、开关电流电路 利用电流存储效应,还可以组成另一大类电路,称为开关电流电路。 vs1 t 0 vs2 t 0 I 为偏置电流,ii 为输入信号电流,开关S1 和 S2 由不重叠的反相时钟控制。 当S1 闭合,S2 断开时,T2 管中储存的电流为 : T1 I T4 T3 T2 I S2 S1 ii io VDD 当 S1 断开 ,S2闭合时,T2 管中的电流通过T3 管传送到T4 管输出,显然这个输出电流 io 就是前一个时钟周期储存在 T2 管中的输入电流 ii 。 即 T1 I T4 T3 T2 I S2 S1 ii io VDD 二、其它改进型电流源电路 由前面讨论可知:对于各种改进型电流源电路都要针对下述目标而进行。 (1)、减小由β值和 VA (或 λ)而引入的误差。 (2)、提高 IO 的精度,增大 RO ,改进电流源的恒流特性。 1、级联型电流源电路: 将两个基本镜像电流源电路相级联,而构成的电路。 如图所示 T3 T4 VCC iC4= IO iC3 IR R iC2= iC4 T1 T2 iC1 根据电路可得: 若β足够的大,则可近似认为 由于 T1 与 T2 构成镜像电流原则有 相应的有 所以 此式表明,不论外电路加在电流源上的电压如和变化,级联电路总是强制地保持 T2 管的 vCE2 接近于 T1 管的 vCE1 。 这样不仅减小了iC1 转移到 iC2 时,因基区调制效应引入的误差,还使 IO (其值取决于 iC2)几乎于外加电压的变化无关,因此,该电路既提高 IO 的精度,又改进了电流源的恒流特性,即增大了 RO 。 T3 T4 VCC iC4= IO iC3 IR R iC2= iC4 T1 T2 iC1 不过这个电路并没有减小,因β值为有限制而引入的误差。 证明、当各管β值相同时,IO 与 IR 之间的关系。 根据电路有 因为 所以 T3 T4 VCC iC4= IO iC3 IR R iC2= iC4 T1 T2 iC1 * * 电流源电路是提供恒定电流的一类电子线路,它广泛应用于各种功能电路中。 对电流源电路的要求: 1、提供电流 IO ,并且其值在外界环境因素(温度、电源电压等)变化时,力求维持稳定不变。 2、当其两端电压变化时,应该具有保持电流 IO 恒定不变的恒流特性,或者说电流源电路的交流内阻 RO趋于无穷。 一、镜像电流源电路 1、基本镜像电流源电路: 如图所示 电路结构: T1 与 T2 应该选取参数完全匹配的晶体三极管。 T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R 其中,T1 的集电极和基极相连,接成二极管的形式,并且由VCC 通过R 提供电流 IR 。 分析: (1)、精度和热稳定性 根据电路有: 当忽略基区调制效率应时: 或表示为 所以上式可等效为 T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R 由于 而 IS 与发射结面积成正比,因此有 当 时 则 由此式可以看出T1管的电流I1 等值得转移到 T2 管中。 当 时, T1 管电流 I1 则加权地转移到 T2 管中,加权因子为发射结面积比值。 根据电路还可知: T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR 若T1 与 T2 的参数完全匹配, 当 时: 已知 所以 故 显然,IR 是由 VCC 通过 R 提供的,它是电流源电路的参考电流,只要 IR 确定后,IO 也就被确定。 从此式可以看出:它们之间不是严格满足镜像关系,而是由有限的β值产生误差,这个误差随β值的增大而减小。 同时IR 又与VBE(on) 有关,而β值和VBE(on) 又是温度敏感的参数,因而造成 IO 的热稳定性下降。 只有当 时 才能忽略温度以及β离散性的影响。 在高精度电流源中还必须考虑基区宽度调制效应的影响,当计入基区宽度调制效应时: 当 时, 已知 可见计入基区调制效应后,进一步降低了IO 的精度和热稳定性。 通常 若满足 则可忽略基区调制效应的影响。 (2)、恒流特性: 为了保持恒流特性,应该增大 RO 。 根据电路得: R re rbe gmvbe rce2 T1 T2 VCC iC2= IO iC1 IR R 2、减小β值影响的镜像电流源电路 如图所示 与前面介绍的电流源不同的是,用T3 管代替 T1 管的集电极与基极的短路线。 此电路是利用T3 管的电流放大作用,以减小 iB1、iB2 对IR 的分流,使 iC1 更接近 IR ,从而有效的减小
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