新竹科学园区半导体及光电制造业空气污染防制设施绩效提升辅导.PPT

高科技工業空氣污染防制設施效能提升研析 白曛綾 國立交通大學環境工程研究所 教授民 國 九 十一 年十 月三十日  目 次 一、前言 二、研究目的 三、高科技工業常見之空氣污染防制設施 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題 分析及建議 五、實地輔導成果 六、結論與建議 一、 前言 一、前言 行政院環保署已於民國88年1月發布，當年7月正式施行 「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」 此外環保署亦已著手規劃其他電子產業之空氣污染管制及排放標準，來規範所有與電子產業相關行業之空氣 污染物排放。 一、前言（續） 新竹科學園區管理局已連續三年委託國立交通大學環境工程研究所執行半導體及光電產業之現場訪查與深入輔導工作。 累計完成近60廠次之現場訪查，以及五家工廠之實地深入輔導工作， 藉以了解各廠之空氣污染防制現況， 並提供改進建議。 一、 前言（續） 半導體產業常見之空氣污染來源： 酸鹼性氣體：於氧化、光罩、顯影、蝕刻等製程中使用強酸（硫酸、氫氟酸、鹽酸、硝酸、磷酸），及於蝕刻、擴散等區使用氨氣及氨水等。 VOCs: 在光罩、顯影後光阻劑、顯影液、蝕刻液的清洗及後續晶元清洗等過程，使用丙酮、異丙醇、乙二醇等有機溶劑。 毒性氣體及溫室效應氣體：氧化、光罩、蝕刻、擴散、離子植入及CVD等製程中使用PH3、SiH4、B2H4等毒性氣體及三氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷等溫室效應氣體。 一、 前言（續） 光電產業常見之空氣污染來源： 酸鹼性氣體：光蝕刻與顯影製造技術與半導體製程相近，其製程中使用高濃度之氫氟酸、硫酸、鹽酸等強酸來進行蝕刻。 VOCs:於清洗與化學處理程序使用丙酮、異丙醇，黃光區之曝光顯影程序時使用光阻劑、HMDS、異丙醇、二甲苯、醋酸丁酯等。 毒性氣體： 在磊晶成長程序中使用砷化氫(STN-LCD磊晶製程除外)、矽甲烷、磷化氫等毒性物質。 二、 研究目的 二、 研究目的 提供業界高科技產業空氣污染防制常見之問題及效能提升建議。 提供相關之執行經驗給學界參考，以求拋磚引玉之效果。 三、高科技工業常見之空氣污染防制設施 三、高科技工業常見之空氣污染防制設施 由累計完成之58廠次之工廠現場訪查資料，來整理常見之空氣污染防制設施。 36廠次半導體業之晶片製造、晶圓製品等製造廠。 20廠次光電產業之光電材料元件系統、平面顯示器及光儲存媒體製造廠。 2廠次之通信產業無線通訊設備廠。 三、高科技工業常見之空氣污染防制設施 無機性酸鹼氣體：填充式洗滌塔 毒性氣體：local scrubbers，包括焚化+水洗、乾式吸附、濕式洗滌、自燃式等，目標污染物包括SiH4, Cl2, NF3, PH3, AsH3,…。 揮發性有機氣體：固定床活性碳、沸石轉輪濃縮焚化、臭氧氧化處理、流體化活性碳床、生物濾床、洗滌塔。 三、高科技工業常見之空氣污染防制設施-VOCs防制設施之設置比例 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題分析及建議-無機酸鹼性氣體 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- 無機性氣體 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- 無機性氣體 槽化（channeling）現象： 部分廠家洗滌塔因循環水量不足或液體分散器之分散效果不佳，填充物上無法獲得均勻之液體，導致氣體未被有效處理及排放。 建議注意洗滌塔頂層之液體分散器配置是否均勻分佈，以及有無阻塞之情形，以減少氣體槽化現象。 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- 無機性氣體 白煙問題： 可能為鹼性及酸性氣體未完全分流處理而產生氨鹽微粒，或因SiO2顆粒存在產生核凝作用之結果，水氣之存在又增強其白煙效應。 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- 無機性氣體 排放口監測濃度值多低於偵測下限，導致無法評估實際排放量： 可考慮依環檢所公告之檢測方法，延長採樣時間。 或以較精確，經學術驗證過之新型採樣設備（如擴散型採樣器）進行採樣。 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- 無機性氣體 酸氣洗滌塔之原設計往往不能符合法規要求之大於90%之效率要求 設計不良所致，新廠需加大洗滌塔之停留時間至1秒以上。 舊廠則宜選擇使用高比表面積之填充物。 此外亦應加強操作改善（如預防槽化），及避免粒狀反應產物生成。 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題分析及建議- VOCs 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- VOCs 廢氣含高沸點VOCs影響流體化床、沸石轉輪等處理效率： 可將其預先以分流、冷凝濃縮、活性碳吸附、或以較便宜之濾網預先處理，再導入處理設備。 避免加裝洗滌方式之前處理設備，以免降低VOCs進入焚化爐內之濃度，增加焚化能源之消耗，並增加廢水廠之負荷。 裝設THCs連續監測設施。 定期維護保養。 四、高科技工業常見之空氣污染防制問題- VOCs T