01-12 ghz宽带cmos低噪声放大器研究与设计.pdfVIP

0.1-1.2 GHz 宽带CMOS 低噪声放大器研究 与设计 Research and Design of 0.1-1.2 GHz CMOS Wideband Low Noise Amplifier 学科专业：微电子学与固体电子学 研 究 生：闫月星 指导教师：秦国轩 副教授 天津大学电子信息工程学院 二零一三年十一月 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的 研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他人已经发表 或撰写过的研究成果，也不包含为获得 天津大学 或其他教育机构的学位或证 书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中 作了明确的说明并表示了谢意。 学位论文作者签名 ： 签字日期： 年 月 日 我是爱天大的！！ 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解 天津大学 有关保留、使用学位论文的规定。 特授权 天津大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借阅。同意学校 向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。 （保密的学位论文在解密后适用本授权说明） 学位论文作者签名： 导师签名： 签字日期： 年 月 日 签字日期： 年 月 日 摘 要 近几年，随着各种无线标准的飞速增加，移动终端需要支持越来越多的通信 标准。与此同时，功耗和成本也要降低。因此，用于低成本移动单元的多标准收 发机备受工业和学术界关注。在众多实现多标准收发机的方法中，能够包含多个 标准的前端是首选，这种方法不仅功耗低而且面积小，宽带低噪声放大器（LNA ） 的设计是宽带接收机设计的重大挑战之一，低噪声放大器决定了整个系统的噪声 系数和灵敏度，宽带低噪声放大器需要在整个宽的频段内有好的阻抗匹配、高的 功率增益和低的噪声系数。 根据上面的背景，本文详细介绍了宽带低噪声放大器的设计。文章首先介绍 了低噪声放大器的理论基础，包括噪声理论、S 参数、非线性和稳定性。其