三维集成电路中新型TSV电容提取方法研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

学校代码 分 类 号  10701 学校代码 TN82 学 号 学校代码 TN82 学 号 学 号 密 级  1211122809 公开 西安电子科技大学 硕士研究生毕业论文 三维集成电路中新型 TSV 电容 提取方法研究 作者姓名：熊波 领 域：集成电路工程 学位类别：工程硕士 学校导师姓名、职称：董刚教授 企业导师姓名、职称：刘洪涛高工 提交日期：2014 年 12 月 Capacitance extraction method research of new type TSV in three dimensional integrated circuit A thesis submitted to XIDIAN UNIVERSITY in partial fulfillment of the requirements for the degree of Master in Integrated Circuit Engineering By Xiong bo Supervisor: Dong gang Liu hong tao December 2014 西安电子科技大学 学位论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 毕业论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日期： 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用毕业论文的规定，即：研究 生在校学习期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送 交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容， 可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后结合 毕业论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 （保密的论文在解密后遵守此规定） 本论文属于保密，在 年解密后适用本授权书。 本人签名： 导师签名： 日 期 ： 日 期 ： 摘要 摘要 西安电 西安电子科技大学硕士学位论文 摘要 为了获得更好的性能，更低的功耗以及更小的尺寸，三维集成电路被看作是 可以继续降低特征尺寸的有效选择。而三维集成电路使用硅通孔技术（TSV）作为 不同层之间的互联线，该技术作为三维集成电路中核心的互连技术，发挥着举足 轻重的作用。随着 TSV 性能要求的不断提高，一些新型结构的 TSV 被陆续开发出 来，其电学与热力学性能要好于常规 TSV。新型 TSV 的电容特性对电路的延时与频 域特性的影响，就成为 TSV 研究中十分重要的一项。 本文目的是建立常规 TSV 与新型 TSV 的通用电容模型，并分析工艺参数对新 型 TSV 寄生电容，延时与频域特性的影响。首先对圆柱形/圆锥形 TSV 与共轴耦合 / air gap TSV 相应提出两种电容模型，对于圆柱/圆锥形 TSV 电容模型分析其电 容相关的影响因素，针对 TSV 高度，半径与倾斜角等参数讨论了其对总电容的影 响。对于共轴耦合/air gap TSV 电容模型讨论工艺参数对电容特性的影响，其中 air gap TSV 可以大大降低 TSV 总电容。在制造过程中，可以根据实际的情况适当 调节这些物理参数值，从而得到最优的结果。 其次我们分析了 TSV 延时特性，首先建立 TSV 的延时模型并通过推导得出其 等效电路模型，并使用一阶 RC 模型计算延时并通过 SPICE 仿真以验证，接着讨论 了三种结构 TSV 各自的延时特性，并讨论了 TSV 长度，air gap 个数与角度的变化 对于 TSV 延时特性的影响。 最后我们研究了 air gap TSV 的频域特性，使用 HFSS 分别对 air gap TSV， 常规 TSV 与共轴耦合 TSV 进行建模，并分别讨论了不同结构 TSV，不同的 air gap 角度与个数，不同内轴材料，不同介质层材料对于其频域特性的影响。 关键词：air gap TSV， 电容模型， 延时特性， 频域特性 论文类型：应用基础研究类 I PAGE PAGE VI