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试样中的成分 (4) 金属／半导体界面反应产物 半导体(硅、砷化钾等)上通常沉积金属薄膜(厚度约几百nm)并经热处理后形成欧姆接触或肖特基接触。 热处理过程中，在界面上常形成界面反应产生的化合物，利用薄的截面试样可以测定这些厚度小于100 nm的化合物的成分、结构以及界面平整度等。 化合物的成分 电荷脉冲经前置放大器，信号处理单元和模数转换器处理后以时钟脉冲形式进入多道分析器。 多道分析器有一个由许多存储单元（称为通道）组成的存储器。与X光子能量成正比的时钟脉冲数按大小分别进入不同存储单元。 每进入一个时钟脉冲数，存储单元记一个光子数，因此通道地址和X光子能量成正比，而通道的计数为X光子数。 最终得到以通道（能量）为横坐标、通道计数（强度）为纵坐标的X射线能量色散谱，并显示于显像管荧光屏上。 右图为NaCl的扫描形貌像及其能量色散谱。 波谱仪和能谱仪的比较 操作特性 波谱仪（WDS） 能谱仪（EDS） 分析方式 用几块分光晶体 顺序进行分析 用Si(Li) EDS 进行多元素同时分析 分析元素范围 Z≥4 Z≥11 (铍窗) Z≥6 (无窗) 分辨率 与分光晶体有关，~5 eV 与能量有关，145~150 eV (5.9 keV) 几何收集效率 改变， 0.2% 2% 波谱仪和能谱仪的比较 量子效率 改变， 30% 100% (2.5~15