2003年材料学会年会论文格式说明.DOCVIP

溫度控制成長硫化鋅奈米線與其光學性質 唐超、郭東昊、鄭如茵 台灣科技大學高分子工程系 (NSC96-2628-E-011-118-MY3) 本實驗利用化學氣相沉積法，將基板、鋅粉及硫粉放置於不同溫區，藉此控制成長出奈米線，其中成長出的奈米線直徑則為50-150奈米，長度最長可達100微米，經過X光粉未繞射儀系統（XRD）與能量散射光譜儀（EDX）等分析後，即可確定成長出之硫化鋅奈米線為wurtzite結構。接著在PL分析中，觀察到波長位於517nm的單一綠光波峰。 關鍵字：硫化鋅、一維材料、奈米線 1. 前言 自從奈米碳管（carbon nanotubes）被日本Iijima博士在1991 年首度發現後[1]，如同奈米棒、奈米線、奈米帶與奈米片等其他一維材料研究也在接下來幾年陸續被發表出來。而屬於Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的硫化鋅（ZnS）因具有優良的光電性質與本身電自活激發發光的特性（self-activated luminescence），一直被認為極具有潛力做為電子與光電奈米元件，因此相關應用也在不同的領域被發展出來，如光感測器、光觸媒、顯示器、半導體雷射等[2-5]，而製備高品質與純度的硫化鋅一維材料也就成為了當今許多研究團隊的重要課題之一。 最近幾年，許多團隊發表了許多成長硫化鋅一維材料的研究，例如Wang等人[6]將硫化鋅粉於900℃加熱揮發後成長出硫會鋅奈米線，接著Meng等人[7]於800℃將硫化鋅粉加熱配合通入氫氣混合氬氣，成功成長出表面完整平滑且直徑為20奈米的奈米線。而有別於直接加熱硫化鋅粉，S. Zhang等人[8]利用碳反應形成反應物種的方式，有效降低製程溫度，以4：1：2的比例混合硫粉、碳粉和二氯化鋅做為反應物種，在溫度只需500℃搭配氮氣的環境下，成長硫化鋅奈米線。Y. Zhang 等人[9]也繼續利用類似方法，以2：1：1的比例混合硫粉、碳粉和鋅做為反應物種，於800℃與氮氣氣氛的環境下，配合鍍有金薄膜作為反應觸媒的基板，以氣液固生長法（vapor-liquid-solid, VLS）成長出硫化鋅奈米線。2005年，X.S. Fang等人[10]，於1100℃的氬氣環境下高溫加熱自製的硫化鋅粉，在不同溫區的基板上分別成長出奈米棒、奈米線、奈米帶以及奈米片不同的硫化鋅奈米結構。藉由此篇整理與分類得知，基板的溫度的確會影響生成不同的硫化鋅奈米結構，因此我們提出了有別於碳化化學沉積法或直接加熱揮發硫化鋅粉的製程方式，採用一般化學氣相沉積，分別將基板、鋅粉以及硫粉置於不同溫區，藉此控制成長出不同的硫化鋅奈米結構，此方法除了可以有效控制生成的奈米結構產物，另外也可提升其產量與純度。 2. 實驗方法 本研究主要的操作儀器為直徑3英吋的管狀高溫爐（Linberg Blue/M 1700），首先在(100)基板上鍍約30奈米厚的金薄膜做為觸媒，接著在管狀高溫爐中分別將基板、鋅粉（0.6克）、硫粉（0.3克）放置於800℃、800℃與300℃，抽真空至5×10-3 torr後，通入氬氣(Ar)，使管內壓力保持在常壓環境下，接著升溫至操作溫度並持溫兩個小時，升溫開始至降溫結束期間，氬氣(Ar)流量保持為1000 sccm，做為保護與攜帶氣體，待降溫至室溫後將基板取出。 我們先使用Cambridge SEM S360掃描式電子顯微鏡（SEM）來觀察成長於矽基板上的硫化鋅的奈米結構形態，其組成則由附設在SEM上的量散射光譜儀（EDX）來進行分析，接著再使用Rigaku D/Max-RC X光粉末繞射儀系統（XRD）與TEM來判斷產物的晶格結構，確定為wurtzite 結構。最後在利用光激螢光光譜儀(PL)進行 3. 結果與討論 3.1 形態與成長機制 圖一為基板固定放置於800℃、鋅源800℃、硫源於300℃時所成長出之硫化鋅奈米線SEM顯微結構圖。我們可觀察出所成長之奈米線直徑則為30-100奈米，長度最長可達100微米。  圖一 基板置於800℃、鋅源於800℃與硫源300℃所成長出硫化鋅奈米線之SEM顯微結構圖。 接著從圖二的FE-SEM顯微結構圖中可看出，此製程所成長出之奈米線直徑在100奈米以下，最細可達30奈米，另外我們也發現在奈米線的頂部均有一顆粒的存在，判斷此製程中金薄膜確實有形成奈米級顆粒並做為觸媒成長，而此製程奈米線的成長機制為VLS。因此接下來我們也將繼續利用EDS來進行分析，了解顆粒的成分組成。 圖二 硫化鋅奈米線頂部金奈米催化顆粒之FE-SEM顯微結構圖。 圖三為以能量散射光譜儀（ＥＤＸ）分析我們所成長奈米線的光譜圖，扣除因基板所測得的矽波峰比例，鋅與硫的組成比例接近1：1，所以也可確定我們成長的奈米材料確實為硫化鋅結構物。圖四則為奈米線頂端顆粒的能量散射光譜儀