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nature和science上关于石墨烯的个人文献总结 　　不同基底对石墨烯纳器件影响的第一性原理研究　　张岱萌，李哲，黎奇，钟建福，杨黎，李序，吴鹏　　(华中科技大学电子科学与技术系，武汉)　　摘要：石墨烯的奇特性质似的它在诸多领域有着重要应用前景。本文介绍了石墨烯的发现、性质、制备方法、应用，重点讨论了不同基底对石墨烯片层的影响：BN基底、SiC基底、SiO2基底以及各种金属基底对石墨烯的不同作用。此外还重点介绍了石墨烯纳米带的分类及基本性质：armchair型纳米带和zigzag型纳米带的性质。最近提出了研究方向和思路。*　　关键词：第一性原理，石墨烯，基底　　一、引言　　石墨烯，即单原子层石墨片，可以看成是三维体相石墨的一个二维片层。XX年，英国曼彻斯特大学的Novoselov等人第一次用机械剥离法(mechanicalcleavage)获得了单层和2～3层的石墨烯片层，并且证明这些片层可以在外界条件下稳定存在。XX年，Meyer等人报道了单层石墨烯片层可以在真空中或空气中自由的附着在微型金支架上，这些片层只有碳原子厚度(0．35nm)。这一厚度仅为头发丝的2O万分之一，但它们却表现出长程的晶序。石墨烯的发现及成功制备，推翻了人们以前普遍接受的严格的二维晶体无法在有限的温度下存在的科学预言，不仅如此，石墨烯表现出来的一系列奇特的电子和物理特性,使得它在分子电子学，微纳米器件，超高速计算机芯片，高转换效率电池，固态气敏传感器，氢储存等领域有着重要的应用前景。　　由于石墨烯优异的导电性，它很可能成为组建纳米电子器件的最佳材料，成(转载于:写论文网:nature和science上关于石墨烯的个人文献总结)为下一代电子器件的替代品，用它制成的器件可以更小，消耗的能量更低，电子传输的速率却更快。石墨烯的单原子层结构使其具有独特的量子输运特性，电子结构易于调控，与几何结构、掺杂等密切相关，并且石墨烯基纳电子器件的显著优势是整个电路的各种部件，可能在同一片石墨烯上获得，可避免一维材料基器件中难以实现的集成问题，使得其在纳米电子器件中有巨大应用潜力。然而实际应用中石墨烯纳米带等制成的纳米器件不能悬空单独稳定存在，必须吸附于一定的基底之上。当前研究主要关注单独石墨烯纳米带电子特性和基底对简单石墨烯片层的影响，还没有进一步研究基底对石墨烯基纳米器件的影响。但是由于石墨烯纳米器件相对比较复杂，直接研究基底对石墨烯纳米器件的影响会有较大困难。石墨烯纳米器件是由一些简单的结果组成的。因此我们可着眼于研究基底对这些[3][2][1]　　简单石墨烯纳米结构的影响。　　二、石墨烯的性质　　石墨烯表现出很多奇特的电学性质[1,4]。图1所示为石墨烯的能带结构和布里渊区，石墨烯的价带与导带在费米能级的六个顶点上相交，而这六个点也是石墨烯第一布里渊区的六个顶点。从这个意义上说，石墨烯是一种没有能隙的物质，显示金属性，这为石墨烯具有优异的电学性质提供了理论上的解释。　　[6]　　图1石墨烯能谱图[6]　　在单层石墨烯中，每个碳原子都贡献出一个未成键的电子，这些电子可以在晶体中自由移动，赋予石墨烯非常好的导电性。石墨烯中电子的典型传导速率为8×10m／s，这虽然比光速慢很多，但是却比一般半导体中的电子传导速度大得多。石墨烯特有的能带结构使空穴和电子相互分离，导致了新的电子传导现象的产生，例如不规则量子霍尔效应[5,8,9][7]。石墨烯的室温霍尔效应使原有的温度范围扩大了10倍，表明其独特的载流子特性和优异的电学质量。　　石墨烯作为一种半金属材料，内部载流子浓度高达10cm，而且由于其高度对称的晶格结构，石墨烯内部载流子的迁移率已达到15000cmVS，实验表明2-1-1[10]13-2，石墨烯的迁移率几乎与温度无关，即使在室温下迁移率也主要受杂质或缺陷的影响，所以可以通过提高晶体质量来提高载流子的迁移率。最近，理论和实验均已证实石墨烯具有双极场效应[11,12,13]，通过门电压的调制，它的载流子可以在电子和空穴间连续地过渡，使其显现出n型、p型特性。而且，由于石墨烯特殊的晶体结构和能带结构，通过控制其几何构型及边缘的手性可以使其呈现金属或半导体特性。　　三、石墨烯的制备方法　　一般在基底上制作石墨烯有以下几种方法：　　1、化学汽相淀积法[14]　　Xuesong等在厚度为25um的铜金属薄片上应用甲烷的化学汽相淀积法制作出了大面积(约为几厘米)的石墨烯，其中仅有小于5%的两层或三层石墨烯片层存在于铜片上，其余均为单层石墨烯。这些石墨烯片层在铜片上连续生长，并且这些石墨烯生长是自限式的，生长10min和60min的形貌几乎相同。　　Xuesong等还研究了不同厚度的铜片(,25,and50um)对于石墨烯生长的影响，