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芯片密度递增趋势图 芯片的制造－微电子技术的关键 光刻与光刻胶－集成电路制造的关键 Process 光刻过程 How chips are made - Introduction How chips are made - Introduction Many ingredients and dozens of steps are needed to make a microprocessor. Recipes for making microprocessors vary, depending on the intended use of the chip. Pentium Microprocessor How chips are made - Preparation How chips are made - Preparation How chips are made - Fabrication How chips are made - Fabrication How chips are made - Layering How chips are made - Layering How chips are made - Etching How chips are made - Etching How chips are made - Layers How chips are made - Layers How chips are made - Ion Implantation How chips are made - Ion Implantation How chips are made - Layers upon Layers How chips are made - Layers upon Layers How chips are made - Multiple Processors How chips are made - Multiple Processors How chips are made - Packaging How chips are made - Packaging Classification 表10-2 光刻胶（光致抗蚀剂）的种类 X 射线 电子束 远紫外线 紫外线 X 射线抗蚀剂 0.4～5 软X射线 电子束抗蚀剂 ＜0.1 电子束 远紫外光致抗蚀剂 200～300 Hg-Xe、重氢 紫外光致抗蚀剂 350～450 超高压汞灯 抗蚀剂类型 波长 (nm) 光源 正性光刻胶：光刻得到正图形的光刻胶，它受光照时发生分解反应； 负性光刻胶：光刻得到负图形的光刻胶，它受光照时发生交联反应。 对光刻胶的要求 对光刻胶的要求 要求有很好的成膜性。光刻时一般采用旋转 涂胶的办法，即在硅片的中心滴一滴光刻胶，然 后在高速旋转台上旋转，使光刻胶均匀分布在硅 片上成膜。 要求: ? 胶膜对二氧化硅有强的附着力。 ?要有足够的光敏性。 ?要有良好的分辨率，所谓分辨率就是光刻 可达到的最细线条的宽度。 ?对光刻所用腐蚀液有良好的抗腐蚀性等等。 影响光刻分辨率的因素 曝光：曝光时，光有衍射效应，波长愈长，衍射 效应愈严重。 显影：当用溶剂显影时，不溶的交联胶膜可以发 生溶胀，因此可以使图形变形。 腐蚀：腐蚀反应是一种各向同性的反应。 传统光刻方法的最高分辨率只有2～3微米左右 光通过掩模的衍射 表10-3 光刻的分辨率问题 256M 1G 0.18 0.15 KrF 248 1G 4G 0.15 0.13 ArF 193 126 157 365 436 光波长nm 0.10 Ar激光 0.11 F激光 64M 0.3 I 线 4M 0.7 G 线 可满足RAM 分辩率 μm 光源 提高光刻分辨率的主要改进方法 提高光刻分辨率的主要改进方法： 将传统光刻中的接触曝光（掩模与硅片直接接触）改为投影曝光，以后又改为分步缩小投影曝光。 在使用分步重复投影曝光机的同时，采用短波长的紫外光作为光源，例如由波长436纳米的G线光源改为365纳米的I线光源和248纳米的激光。 采用一种叫相位移的掩模代替传统的黑白底片掩模。 以分辨率高的正性光刻胶为主要的光刻胶，同时发展了一种新的光刻胶，称化学增辐光刻胶。 用离子束进行干性腐蚀，不用腐蚀液进行湿法腐蚀。离子束腐蚀是定向腐蚀，避免了侧向腐蚀。 * * Chapter8 Information materials Chapter 10 Information Materials 信息材料 Catalo