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元器件STRESS测试方法
所谓元器件STRESS是指检查待测组件在特定的工作条件下各参数与其规格比较,还有多少余量(Derating), 元器件STRESS包括四部份: 温度STRESS,电压STRESS,电流STRESS,功率STRESS,下面分别进行讨论.
温度STRESS
1. 定义:
温度STRESS=
结温度(junction temperature, Tj)是半导体内部接合面处的温度,但是我们所量测到的温度都是零件表面(CASE)的温度(Tc), 传统的做法是通过零件规格中给出的热阻θ进行近似的计算得出结温度Tj:
或 或
Tj: 计算所得到的结温度.
Ta: 零件周围的环境温度(零件周围的具体位置在零件规格中有规定?)
Tc: 所测量到的零件表面的温度.
零件引脚的温度
环境到结点的热阻.
零件表面到结点的热阻
实际损耗功率
的计算方法: A. 二极管: (可从规格中查到, I是实际测量值)
注意: 整流桥之
B. MOSFET: HYPERLINK 附录D所示尽管同一扫描时间,也会随触发位置改变而改变, 如 HYPERLINK 附录E所示是否可以用Gate on测量一个周期的RMS值?
2.测量初级侧的零件时,示波器探棒夹子夹在初级侧的地,相当于将FG线与初级侧的地接在一起,这样会有问题吗?
3.波形数据采用采集方式: Sample , Peak Detect, Hi-Res?
4.普通二极管的温度Derating需查θj c , 但规格中只有θj l 或 θj a, 应怎么解决? 又要重新点引脚的温度吗?
附录A MOSFET功率损耗计算方法
Graph#1
HYPERLINK BACK
附录B Avalanche Energy 计算方法:
HYPERLINK BACK
附录C 触发电平对测试结果的影响:
Note: 触发电平1.59V为最高触发电平(1.61V已不能触发)
HYPERLINK BACK
附录D TIME SCALE对测试结果的影响
DPS-250GB-3A C1 ripple current波形
HYPERLINK BACK
附录E 触发位置对测试结果的影响
DPS-250GB-3A D953电流波形
HYPERLINK BACK
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