电力电子技术重点王兆安第五版.docx

-- -- 第 1 章 绪 论 1 电力电子技术定义： 是使用电力电子器 件对电能进行变换和控制的技术，是应用 于电力领域的电子技术，主要用于电力变 换。 电力变换的种类 1）交流变直流 AC-DC：整流 2）直流变交流 DC-AC：逆变 3）直流变直流 DC-DC：一般通过直流 斩波电路实现 4）交流变交流 AC-AC：一般称作 交流电力控制 3 电力电子技术分类： 分为电力电子器件 制造技术和变流技术。 第 2 章 电力电子器件 电力电子器件与主电路的关系 1）主电路：指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。 2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。 2 电力电子器件一般都工作于 开关状态， 以减小本身损耗。 电力电子系统基本组成与工作原理  （ 1）一般由 主电路、控制电路 、检测电 路、驱动电路 、保护电路 等组成。 2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。 3）控制信号通过驱动电路去控制主电 路中电力电子器件的导通或关断。 4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。 电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如 SCR晶闸管 。 2） 全控型器件：通过控制信号既可以 控制其导通，又可以控制其关断的电力电 子器件。如 GTO、GTR、MOSFET和 IGBT。 3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如 电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 1）电流型器件 ：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电 力电子器件。如 SCR、GTO、GTR。 电极电流 I c1 。 （ ）电压型器件 ：通过在控制端和公共 （4） I c1 与 I G 构成 的驱动电流，继续 2 NPN 端之间施加一定电压信号的方式来实现 上述过程，形成强烈的负反馈，这样 NPN 导通或关断的电力电子器件。如 MOSFET、 和 PNP两个晶体管完全饱和，晶闸管导通。 IGBT。 2.3.1.4.3 晶闸管是半控型器件的原因 根据器件内部载流子参与导电的情况分 （1）晶闸管导通后撤掉外部门极电流 I G ， 类 但是 NPN基极仍然存在电流，由 PNP集电 （1）单极型器件：内部由一种载流子参 极电流 I c1 供给，电流已经形成强烈正反 与导电的器件。如 MOSFET。 馈，因此晶闸管继续维持导通。 （2）双极型器件：由电子和空穴两种载 （ 2）因此，晶闸管的门极电流只能触发 流子参数导电的器件。如 SCR、GTO、GTR。 控制其导通而不能控制其关断。 （3）复合型器件：有单极型器件和双极 2.3.1.4.4 晶闸管的关断工作原理 型器件集成混合而成的器件。如 IGBT。 满足下面条件，晶闸管才能关断： 5 半控型器件—晶闸管 SCR （1）去掉 AK间正向电压； 将器件 N1、P2 半导体取倾斜截面，则晶 （2）AK间加反向电压； 闸管变成 V1-PNP和 V2-NPN两个晶体管。 （ 3）设法使流过晶闸管的电流降低到接 晶闸管的导通工作原理 近于零的某一数值以下。 （1）当 AK间加正向电压 E A ，晶闸管不能 2.3.2.1.1 晶闸管正常工作时的静态特 导通，主要是中间存在反向 PN结。 性 （2）当 GK间加正向电压 E G ， 晶体管 （ ）当晶闸管承受反向电压时，不论门 NPN 1 基极存在驱动电流 I G ，NPN晶体管导通， 极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 产生集电极电流 I c2 。 （ 2）当晶闸管承受正向电压时，仅在门 （3）集电极电流 I c2 构成 的基极驱动 极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 PNP 电流， PNP导通，进一步放大产生 PNP集 （ 3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制 作用，不论门极触发电流是否还存在，晶 （4）通过 AK间施加反向电压同样可以保 闸管都保持导通。 证 GTO关断。 （4）若要使已导通的晶闸管关断，只能 2.4.3 电力场效应晶体管 MOSFET 利用外加电压和外电路的作用使流过晶 （1）电力 MOSFET是用栅极电压来控制漏 闸管的电流降到接近于零的某一数值以 极电流的，因此它是电压型器件。 下。 （3）当U GS 大于某一电压值 U T 时，栅极下 2.4.1.1 GTO 的结构 P 区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从 （1）GTO与普通晶闸管的相同点： 是 PNPN 四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 （2）GTO与普通晶闸管的不同点： GTO是一种多元的功率集成器件，其内部包含数十个甚至数百个供阳极的小 GTO元，