微电子技术运用基础第二章节集成电路的制造工艺资料文档.pptVIP

第二章 集成电路的制造工艺 第一节　双极型集成电路的工艺流程  第二节 MOS集成电路的工艺流程 第三节外延工艺 第四节氧化工艺 第五节 化学汽相淀积(CVD)方法  第六节 掺杂技术 第七节光刻工艺  第八节 刻蚀技术   第二章 集成电路的制造工艺 第九节 淀积工艺 第十节 表面钝化技术 第十一节 隔离技术 第十二节　微电子技术的加工工艺环境 第十三节 衬底材料    返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 * * 第一节 双极型集成电路的工艺流程 PN结隔离方法制造双极型集成电路的典型工艺流程。图1 第二节 MOS集成电路的工艺流程 N沟道铝栅NMOS晶体管的制造工艺流程 图1 CMOS集成电路工艺流程 CMOS反相器 图2 CMOS主要工艺流程图 图3 第三节 外延工艺 外延技术的采用主要有以下优点： ① 利用外延技术可以提高高频大功率晶体管的频率和功率特性。 ② 在双极型集成电路的制造工艺中，采用外延技术容易实现隔离 。 ③ 利用外延技术可以根据需要方便地控制薄层单晶的电阻率、电导类型、厚度及杂质分布等参数。增大了工艺设计和器件制造的灵活性。 外延生长的方法和原理 汽相外延生长的设备 图 汽相外延生长的方法 汽相外延生长原理