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TTL和CMOS电路、OC门电路 TTL电路：TTL电路是晶体管－晶体管逻辑电路的缩写(Transister-Transister-Logic)，是数字集成电路的一大门类。他采用双极型工艺制造，具有高速度、低功耗和品种多等特点。从六十年代开发成功第一代产品以来现有以下几代产品。? ?? ?? ?? ?? ???第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃) ，低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。 第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。 第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。 各类TTL门电路的基本性能：/upload/article/064.jpg电路类型TTL数字集成电路约有400多个品种，大致可以分为以下几类： 门电路 译码器/驱动器 触发器 计数器 移位寄存器 单稳、双稳电路和多谐振荡器 加法器、乘法器 奇偶校验器码制转换器 线驱动器/线接收器 多路开关 存储器?? 特性曲线电压传输特性： ? ?? ? TTL与非门电压传输特性? ?? ?? ?LSTTL与非门电压传输特性 瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形如 右。存在四个时间常数td,tf,ts和tr。延迟时间td 下降时间tf? ?? ?? ???存储时间ts 上升时间tr 基本单元“与非门”常用电路形式：? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? ? ?四管单元 五管单元 六管单元 主要封装形式：双列直插扁平封装 CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。CMOS集成电路的性能特点 微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。 高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑“0”为VSS。 高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。 高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。 低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。 宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为- 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。TTL与CMOS电路的区别TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入是互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。TTL：由于它的输入多涉及晶体管的结构，决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。TTL 电源只有 5V的，而且输入电流的方向是向外的！CMOS 电路应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。如果是 TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。如果是 CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换。由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。什么是OC门？OC门，又称集电极开路（漏极开路）与非门门电路。实际使用中，有时需要两个或者两个以上与非门的输出端连接在同一条导线上，将这些与非门上的数据用同一条导线输