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关于电容 平行板电容器 +Q -Q E d + - V 面积A 电容C定义为： Q V C＝斜率 直流和交流时均成立 一 MOS结构 交流电容 交流电容C定义为： +Q -Q E d + - V 面积A +?Q -?Q ?V Q V C（V〕＝斜率 对于理想的交流电容，C与频率无关 这里理想指电容中没有能量的耗散： 1、忽略金属引线的电阻（超导线〕 2、介质层不吸收能量 非理想的电容： Cideal Rp RS 半导体中的电容通常是交流电容 例如：突变PN结电容 和平行板 电容器形 式一样 + - V P+ N xd 偏压改变?V 未加偏压时的MOS结构 MOS 电容的结构 MOS电容中三个分离系统的能带图 功函数 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 平带电压 平带电压－－使表面势为0，所需在栅上加的偏压。 施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型 施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型 施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型 施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型 MOS场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 （JFET） 金属－半导体场效应晶体管 （MESFET） MOS 场效应 晶体管（MOSFET） S G D 转移特性曲线 提取阈值电压 研究亚阈特性 长沟MOSFET的输出特性 亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势 N+ (P+) N+