集成双极型晶体管.pptVIP

3.4 掺杂方法之二-----离子注入 离子注入是超大规模集成电路制造中不可缺少的掺杂工艺。 优点： 注入过程清洁，纯度高 同一平面内的杂质均匀度可保证在±1%的精度。 离子注入时，衬底一般保持在室温或低于400°C。因此很多可以作为选择掺杂的掩蔽膜。同时避免了热扩散引起的热缺陷。也能避免高温引起的化学组分的变化。 可以得到各种形式的杂质分布。 可以控制离子束的扫描区域 3.4.1 原理 离子的碰撞 经加速的离子碰撞一个固体靶面之后，离子与靶面的原子将经历多种不同的交互作用。如果离子足够重的话，则大多数的离子将注进固体靶里。高能量的离子注入固体靶之后，这些高能离子将与固体靶的原子与电子进行多次的碰撞，这些碰撞将使离子的能量逐渐地减弱至停止，离子从固体内部运动所运动的所有距离，便定义为离子对固体靶注入的范围。 注入的杂质在晶片表面的浓度分布 通道效应 离子注入的固体靶是具有固定结晶结构的硅。在某个方向，入射的硅不会与任何硅原子有弹性碰撞，可以注入到很深的地方，导致离子注入在深度控制上的困难。 通道现象的抑制 1. 倾斜角度 2. 在结晶硅表面铺上一层非结晶系的材质。 3. 事先用一次轻微的离子注入破坏硅结晶结构。 3.4.2 离子注入设备 离子注入设备主要由以下组成： 1. 产生离子的离子源 2. 用以分离主要杂质离子的质量分析器 3. 用来加速注入离子的加速器 4. 聚