激光对硅光电二极管的损伤.PDF

激光对硅光电二极管的损伤 研究了受强光辐照的硅光电二极管的热损伤。报道了由1.06 微米激 8 光脉冲辐照的硅光电二极管的损伤闻值，辐照时间 τ 为 10- ， 1 秒。间值 激光辐照产生可见的微观损伤，并使光响应永久降级。响应度的损失随激 光感应加热引起的检波二极管特性的降级而来。 时间与波长的依赖关系同 处理由高斯激光束辐照的半无限材料的热模型所就言的相符。对短的辐照 时间，能量密度闻值与 τ 无关p 对长的时间，随 τ 的增加而渐趋于一个有限 1 特性。对1.06 微米辐射，其经验关系式为 Eo=65[1+217τjtan- (258τ)1/ 2] 焦耳·厘米 20 1.06 微米辐射在短辐射时间内对探测器的损伤闻