IGBT仿真设计(毕业论文).doc

111111111 本科毕业论文（设计） 题目：IGBT的仿真设计 学 院： 理 学 院 专 业： 电子科学与技术 班 级： 2007级1班 学 号： 070712110075 学生姓名： 孙 阔 指导教师：傅 兴 华 2011年 6月 1日 贵州大学本科毕业论文（设计） 诚信责任书 本人郑重声明：本人所呈交的毕业论文（设计），是在导师的指导下独立进行研究所完成。毕业论文（设计）中凡引用他人已经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。 特此声明。 论文（设计）作者签名： 日 期： 111111111 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 摘要 III 第一章 绪论 1 1.1功率半导体器件的发展 [1] 1 1.2 IGBT的诞生和发展 2 1.3 IGBT的应用 2 第二章 IGBT的结构、工作特性和主要参数 3 2.1 IGBT的结构 3 2.2工作原理 4 2.3 IGBT的特性 5 2.3.1 IGBT的静态特性 5 2.3.2 IGBT动态特性 7 2.4 IGBT的设计理论 8 2.4.1 IGBT的结构设计理论 8 2.4.2 IGBT的闩锁效应 9 2.4.3 器件设计的主要性能影响因素 9 第三章 IGBT的设计 12 3.1外延层的计算 12 3.1.1 IGBT的击穿机理 12 3.2 栅氧化层的计算 14 3.3 P阱的设计 14 3.4阴极N阱（NSD）的设计 15 3.5饱和电流的计算[6] 15 第四章IGBT的工艺仿真 16 4.1工艺参数 16 4.2 使用Athena软件设计工艺流程 16 4.2.1 定义网格 16 4.2.2 外延缓冲层 17 4.2.3 外延N-外延层 18 4.2.4 在外延层上生长一层栅氧化层和多晶硅 19 5.2.5 离子注入P-base、N+发射极 20 4.2.6 淀积AL、刻蚀掉不需要的部分 22 4.2.7定义电极 23 第五章 器件的特性分析 26 5.1 分析器件的参数对阈值电压的影响 26 5.2 IGBT输出特性曲线的仿真 31 5.3 IGBT极的击穿特性的仿真 33 第六章 IGBT 版图的设计 36 6.1 版图参数的计算 36 6.2版图的设计流程 37 总 结 40 参考文献 41 致谢 42 附录 43 附录1：使用Athena软件设计IGBT 43 附录2：使用ATLAS设计IGBT,并且测试出栅压为10V的器件的输出特性曲线。 44 附录3：使用ATLAS测试IGBT的击穿电压 46 附录4：使用ATLAS测试IGBT的阈值电压 47 附录5：使用ATHENA软件仿真P阱的注入N+发射区的注入 48 摘要 绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是具有高的输入阻抗、较低的通态压降，能够处理较大的电流的功率半导体器件。本文首先介绍了IGBT的发展、IGBT的结构、工作特性和主要参数等。并且对IGBT的参数进行了分析,初步估计出IGBT的参数。先使用Athena软件进行工艺仿真出器件的结构，然后用atlas软件进行器件仿真，验证设计，最终实现电流为100A 电压为1000V的IGBT。论文还用TANNER软件画出IGBT的原胞版图。 关键词：绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 电力电子 Abstract Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a kind of power-electronics devices with high input-resistance, low on-state voltage drop and high current-capacity. The development and the operation characteristics of IGBT, and the basic structure of the device were introduced in this paper. A unit cell of power IGBT was defined in Athena in Silvaco platform. Then the electric propertie