半导体制造技术—第四讲：淀积工艺.pptVIP

硅片上外延生长硅 Si Si Cl Cl H H Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Cl H Cl H 化学反应 副产物 淀积的硅 外延层 多晶硅衬底 Figure 11.28 气相外延示意图 掺杂剂 (AsH3 or B2 H3) H2 SiH2 Cl2 RF 感应加热线圈 感应基座 硅片 真空泵 Figure 11.29 硅气相外延炉 排气 排气 排气 RF加热 RF 加热 气体入口 气体入口 卧式反应炉 桶式反应炉 立式反应炉 Figure 11.30 CVD质量测量ILD 中钥匙孔的效果（金属台阶覆盖上） b) 平坦化的SiO2 c) 被淀积的下一层铝 在 SiO2上由钥匙孔引起的金属空洞 a) 由 PECVD淀积的SiO2 SiO2 在层间介质中 的钥匙孔缺陷 铝 Figure 11.31 连续加工的APCVD 反应炉 硅片 膜 反应气体 2 反应气体 1 惰性分隔气体 (a) 气体注入类型 N2 反应气体 加热器 N2 N2 N2 N2 N2 硅片 (b) 通气类型 Figure 11.12 APCVD TEOS-O3改善后的台阶覆盖 Figure 11.3 用TEOS－O3淀积SiO2 TEOS是正硅酸乙脂。分子式为Si(C2H5O4)，是一种液体。臭氧（O3）包含三个氧原子，比