模电-单极型半导体三极管及其电路分析.pptVIP

场效应管概述 2.3.1 MOS场效应管的结构、工作原理及伏安特性 2. 工作原理 2. 工作原理 例2.3.1 作业： *FET小结 2.3.4 场效应管基本应用电路及其分析方法 例2.3.2 例2.3.3 作业： 2.3 复习要点 2.3 复习要点 *讨论 讨论小结 讨论小结 续 讨论小结 续 基本应用：放大电路、电流源电路、 压控电阻、开关电路 分析方法：对FET 放大电路，通常用公式法计算 Q点，用小信号模型法进行动态分析； 也可用图解法。 场效应管的小信号模型 小信号模型 简化小信号模型 下图中，RG=1MΩ，RS=2kΩ，RD=12kΩ，VDD=20V 。FET的IDSS=4mA，UGS(off)=-4V，求 UGSQ、IDQ 和UDSQ 。 解： 设FET 放大工作，则可列出 代入元件参数，求解得两个解为 IDQ=4mA 和IDQ＝1mA 由IDQ=4mA，得UGSQ = -4mA×2kΩ=-8V，其值已小于UGS(off) ， 对应的IDQ应为零，故不合理，应舍弃。方程解应为 IDQ＝1mA UGSQ = -（1×2）V = -2V 例2.3.2 解续： 由电路可得 UDSQ =（2