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激光电源的开关器件IGBT 课程：《激光设备控制技术》 院系：电子工程系 主讲人：张才华 激光电源的开关器件IGBT 教学目标： 1、了解IGBT的结构与工作原理； 2、了解IGBT的主要技术参数。 激光电源的开关器件IGBT 1、IGBT概述 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管， =BJT(双极型三极管) +MOSFET(绝缘栅型场效应管) IGBT模块实物图 是复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 激光电源的开关器件IGBT IGBT的特点： （1）GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大； （2）MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 （3）IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小、开关速度高而饱和压降低。 （4）适合应用于直流电压在400V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等工程领域。 N沟道增强型IGBT结构图与等效电路图 激光电源的开关器件IGBT 2、IGBT结构 结构图 等效电路图 IGBT结构图 激光电源的开关器件IGBT 右边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构示意图。是在N沟道MOSFET的漏极N层上又附加上一层P层组成的 PNPN四层结构的半导体。 P+区称为漏区。