集成电路工艺讲义.pptVIP

余误差函数分布图： 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，这种扩散就是有限源的扩散。 有限源扩散时的初始条件图： 在有限源扩散情况下，表面浓度与扩散深度成反比，扩散愈深，则表面浓度愈低。 扩散结深 决定扩散结深的因素共有4个： 1、衬底杂质浓度NE 2、表面杂质浓度Ns 3、扩散时间t 4、扩散温度T 扩散层的方块电阻 对扩散结深影响最大的因素是扩散温度和扩散时间，特别是扩散温度。因此，在扩散过程中炉温的控制很关紧要，通常要求炉温的偏差小于等于±1℃。 扩散温度与扩散时间的选择 预沉积的温度T不可过低 主要扩散方法 一、液态源扩散 二、固态源扩散 箱法扩散：在高温下，杂质氧化物源的蒸气将充满整个箱内空间，并与硅在表面起作用。 三、固－固扩散 低温淀积掺杂氧化层 高浓度浅扩散中的反常现象 高浓度磷扩散的反常浓度分布图： 结深和方块电阻的测量 四探针法测量电阻率 离子注入设备 注入离子的浓度分布 注入离子浓度的下降表格： 二氧化硅网络 每一个硅原子的周围有四个氧原子，构成所谓硅－氧正四面体；而两个相邻的SiO4四面体之间则依靠公用一个顶角氧而联系起来，这种把两个SiO4四面体联系起来的氧原子称为桥键氧。整个SiO2玻璃就是由这种SiO4四面体依靠桥键氧