三极管工作特性[1]分解.pptVIP

* 3.1.1 BJT的结构简介 3.1 半导体三极管（BJT） 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数 三极管按功率大小分： 小功率管 中功率管 大功率管 三极管按频率高低分： 低频管 高频管 三极管按半导体材料分： 硅管 锗管 3.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 载流子的传输过程 载流子的传输过程 B C E N N P VEE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 VCC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 2. 电流分配及放大作用 （1）BJT内部载流子的传输过程 B C E N N P VEE VCC IE IBE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 ICE IC IC=ICE+ICBO?ICE B C E N N P VEE VCC IE IBE ICBO IB IC IC=ICE+ICBO?ICE IB=IBE-ICBO?IBE ICE 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 IE=IB+ IC 载流子的传输过程 根据 ? 是另一个电流放大系数，同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 RL e c b 1k? 图 03.1.05 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 VEE VCC VEB IB IE IC + - ?vI +?vEB ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?iE = -1 mA， ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， ? = 0.98 时， 4. 放大作用（共基极连接方式） 该电路特点： 以发射极电流作输入控制电流去控制集电极电流；且输出电流近似等于输入电流，无电流放大作用，有电压放大作用。 + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 图 03.1.06 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 4. 放大作用 （4）共射极连接方式 该电路特点： 以基极电流作输入控制电流去控制集电极电流；且输出电流远大于输入电流，有电流放大作用，有电压放大作用。 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两