真空运用应用技术基础知识.pptVIP

第二章 真空技术基础 真空与薄膜材料与技术有何关系？ ?? ?几乎所有的现代薄膜材料制备都需要在真空或较低的气压条件下进行 ???都涉及真空下气相的产生、输运和反应过程 ??? 了解真空的基本概念和知识，掌握真空的获得和测量技术基础知识 ?? ?是了解薄膜材料制备技术的基础！ 真空蒸发、溅射镀膜和离子镀等常称为物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,PVD)基本的薄膜制备技术。它们均要求沉积薄膜的空间要有一定的真空度。因此真空技术是薄膜制备技术的基础，获得并保持所需的真空环境，是镀膜的必要条件。所以，掌握真空的基本知识是必要的。 2.1 真空基本知识 2.1.1 真空的基本概念及特点 真空（Vacuum）的概念： 利用外力将一定密闭空间内的气体分子移走，使该空间内的气压小于1 个大气压，则该空间内的气体的物理状态就被称为真空。 在真空科学里所定义的真空是压强“低于一个标准大气压（101.325kPa）的气体状态”。 注意：真空，实际上指的是? 一种低压的、稀薄的气体状态， ?? ?而不是指“没有任何物质存在”！ 真空是一种气体状态（并非一无所有）。所以有人把真空认为是什么物质也不存在的，即所谓的“绝对真空”那是错误的。 现代真空技术的极限：在超高真空极限10-11～10-12Pa压强下，每立方厘米中仍有33～330个气体分子。 思考题：常温常压下，每cm3空间内有多少个气体分子？ 在标准状态，即0℃，1标准大气压下每立方厘米有2.687×1019个气体分子，可由Avogadro常数进行推算(6.02×1023个/22.4×103cm3 ≈ 2.7×1019 个/cm3) 在真空技术中，常用“真空度”这个习惯用语和“压强”这一物理量表示某一空间的真空程度。 所谓真空度，就是指低压空间中气态物质的稀薄程度。气体的压力越低，其稀薄程度越大，也就是真空度越高。因此，低压力与高真空或高压力与低真空，在含义上是完全相同的。这一点千万不要弄混。 真空度的计量采用与压强相同的方法和单位。 如：“毫米汞柱（mmHg）” 指在0℃，1毫米水银柱作用在单位面积上的力。 1958年，为了纪念意大利物理学家托里拆里，用“托（Torr）”代替了毫米汞柱。1托就是指在标准状态下，1毫米汞柱对单位面积上的压力，表示为1Torr＝1mmHg。 1971年国际计量会议正式确定“帕斯卡”作为气体压强的国际单位。 1Pa＝1N/m2?7.5×10-3Torr。1Torr=133.32Pa 在实际工程技术或国内外文献中，几种非法定计量单位（Torr（托），mmHg（毫米汞柱），bar(巴)，atm（标准大气压），psi（磅力每平方英寸）等）仍有采用。 目前标准大气压定义为：在0℃，水银密度?＝13.59509g/cm3，重力加速度g＝980.665cm/s2时，760mm水银柱所产生的压强为1标准大气压，则1atm＝ 1.01325×105Pa 工程大气压（at）：1at=1kgf/cm2=9.80665×104Pa 表2-1 几种压强单位的换算关系 真空单位换算关系 2.2 真空区域的划分及不同真空状态下气体的性质 为了研究真空和实际使用方便，常常根据各压强范围内不同的物理特点，把真空划分为以下几个区域。 低真空区域：1×105～1×102Pa （760～1 Torr） 中真空区域：1×102～1×10-1Pa （1～10-3 Torr） 高真空区域：1×10-1～1×10-5Pa （10-3~10-7 Torr） 超高真空区域：1×10-5Pa （10-7 Torr） 真空各区域的气体分子运动性质各不相同。低真空下，气态空间近似为大气状态，分子仍以热运动为主，分子之间碰撞十分频繁； 中真空是气体分子的流动逐渐从黏滞流状态向分子状态过渡，此时气体分子之间和分子与器壁之间的碰撞次数差不多； 当达到高真空时，气体分子的流动已为分子流，气体分子与容器器壁之间的碰撞为主，而且碰撞次数大大减少，在高真空下蒸发的材料，其粒子将沿直线飞行； 在超高真空时，气体的分子数目更少，几乎不存在分子之间的碰撞，分子与器壁的碰撞机会也更少了。 表2-2 不同真空状态下气体的性质 2.3 气体吸附与脱附 所谓的气体吸附（adsorption）就是固体表面捕获气体分子的现象。 通常把吸附在固体表面的气体分子从固体表面被释放出来的过程叫做气体的脱附(desorption) （解吸）。 根据吸附力的不同，气体吸附可分为物理吸附和化学吸附。 物理吸附是气体分子受范德瓦耳斯力的吸引作用而附着在吸附剂表面之上，与气体的液化过程类似，其特点是吸附较弱，吸附热较小，吸附不稳定，较易脱