场效应管放大合理的使用电路.pptVIP

* 第四章 场效应管放大电路 基本要求 熟练掌握场效应管的主要参数，共源、共漏组态放大电路工作原理，用小信号模型法分析AV、Ri、Ro，正确理解图形分析法，正确理解场效应管的工作原理。 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 4.1 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 JFET的结构示意图如图所示： P+ ——高掺杂的P型区 1）在N型半导体上，扩散两个高掺 杂的P型区，形成两个PN结。 2）N——电极d——漏极，流走载流子 电极s——源极，发源载流子 3）两边P区引出栅极g（控制载流子运动） 4）中间部分——导电沟道 P沟道 N沟道 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 利用PN结的特性 采用外加反压控制PN结厚薄的方法控制电流的变化。 加反偏后↑→耗尽区宽→i↓ iD的形成： 在vDS电压作用下，多子产生漂移运动。 漂移：在电场力作用下的运动。 扩散：由密度大→小运动 2. 工作原理 4.1 结型场效应管 （以N沟道JFET为例） iD的控制： vGS→PN反偏→沟道宽度→iD 放大：vi→vGS→沟道宽度 →iD→vo=iDRd 输入控制输出变化，电压控制器件（输入电压控制输出电流），适当选择Rd，使vo变化（增大或减小）。 在电场作用下，产生载流子的运动，所以叫场效应。 由一种载流子（电子）参加导电，所以叫单极型器件。 ↗ ↗ ↗ ↗ ↗ ↗ ↗ ↗ ↗ 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 区别： 三极管：电流控制器件，输入电流控制输出电流。 场效应管：电压控制器件，输入电压控制输出电流。 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 Ⅰ. 可变电阻区 特点：vDS比较小 1）vDS=0，iD=0 2）vDS↑，iD↑（vGS一定） 3）vGS↑，iD↑（vDS一定） 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 Ⅱ. 饱和区（线性放大区） 特点：vDS→iD不变 分析原因：vDS↑，vGD=VP 耗尽区合拢于A点，A点电阻最大。 vDS↑全降于A点，电子受高压加速到达d极形成iD。 vGS↑→iD↑成线性关系，场效应管用于放大器时就工作 在这个区域。（反偏压减小） ↗ 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 Ⅲ. 击穿区 特点：vDS=某值后，iD↑↑ PN结反向击穿造成。 夹断电压：VP vGS=VP时，两边的耗尽区合拢，iD→0，此时的vGS值叫夹断电压。 予夹断：vDS↑到一定值时，vDG=VP时，两边耗尽区开始合拢于一点（A）——叫予夹断。 夹断：予夹断出现后，vDS↑→vGS=VP，沟道合拢，iD=0，管子截止。 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 VP 特点：1）vGS=0，iD=IDSS（饱和漏极电流）。 2）vGS越负，iD越小。 3）vGS=VP，iD=0，夹断。 4）vDS某值后，曲线接近重合，这是因为在饱和区， iD几乎不随vDS而变。 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS