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模拟电子技术及应用 第1章 半导体二极管及应用 1.1 半导体的基本知识 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结的形成及特性 PN结的其它称谓 二、PN结的单向导电性 二、PN结的单向导电性 1.2 半导体二极管 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 伏安特性小结 二极管元件的伏安特性可用公式法、参数法、特性曲线法三种方法来表示。 公式法的特点是便于定量分析计算； 参数法描述元件的特性简单、明了，但是只能描述简单的静态特性，无法反映两个变量之间的关系； 特性曲线法比较全面而直观地反映元件的特性，特别是变量之间的关系，信息量最大。 1.2.4 二极管的等效电路 1.2.5 特殊二极管 将电能直接转换成光能的半导体器件。包括可见光、不可见光（一般指红外光）发光二极管。常见的发光颜色有红、橙、黄、绿等色,如图1-21 (a)所示。双色发光二极管如图 1-21 (b)所示，彩色发光二极管如图1-21(c)所示 光敏二极管也叫光电二极管，其结构和一般二极管相似，也具有单向导电性，一般工作在反向偏置状态。在外加反向电压作用下,当光线照射在PN结上时，反向电流增加，其大小与光照强度（简称光强）成正比。利用光敏二极管制成光电传感器，可以把光信号转变为电信号，以便控制其他电子器件。光敏二极管的电路符号如图1-22 (a)所示。 光敏二极管一般有两种工作状态： （1） 当光敏二极管上加有反向电压时，管子中的反向电流随光强变化而正比变化； （2） 光敏二极管上不加反压，利用PN结在受光照（包括可见光、不可见光）时产生正向压降的原理，作微型光电池使用。 三、变容二极管 1.3 二极管的应用 1.3.2 其它应用 小 结 1．自然界中的物质，按照导电能力的强弱可分为导体、半导体和绝缘体三类。常温下，半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，半导体有热敏性、光敏性和掺杂性。掺杂性是制造各种半导体器件的主要理论依据。在纯半导体中接人不同的杂质，可分别形成P型和N型两种杂质半导体。它们是各种半导体器件的基本材料。 2．P型和N型半导体结合，在交界面处形成空间电荷区—PN结，它是构成各种半导体器件的基础。单个PN结加上封装和引线就构成二极管，它具有单向导电性特性。 3．二极管是典型的非线性元件，在实际应用时，常根据特定条件下的等效模型进行简化分析。常见的二极管等效模型有：理想模型、恒压降模型、折线模型、指数模型和交流小信号模型等。 4．用二极管的单向导电性实现整流、限幅、检波、续流等，利用其反向击穿特性可制成稳压二极管，它与限流电阻串联后实现电路的稳压作用。发光二极管和光敏二极管在信号指示、照明及检测电路中得到广泛的应用。 * 北京大学出版社 刁修睦、杜保强主编 课件制作刁修睦 山东潍坊学院 信息与控制工程学院 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 二极管的应用 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 价电子 共价键 图 1-1　共价键结构 1.1.1 本征半导体 纯净的、晶体结构排列整齐的半导体叫做本征半导体。 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 T ? 图 1-2　本征激发 1.1.1 本征半导体 在一定的温度下，部分价电子因受热而得到足够的能量，可以摆脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的共价键中便留下了一个空位，称为空穴。这种现象叫做热激发，也叫本征激发。 本征激发的结果： 产生电子-空穴对 本征激发： 1.1.1 本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 T ? 图 1-2　本征激发 一般在室温下，纯硅中的自由电子浓度n和空穴浓度p约为n=p≈1.5×1010个/cm3，纯锗中的自由电子浓度n和空穴浓度p约为n=p≈2.5×1013个/cm3，而金属导体中的自由电子浓度约为1022个/cm3。由此可知，本征半导体的导电能力是很差的。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 受主原子 空穴 图 1-3　P 型半导体的结构 (b) 结构示意图 (a) 形成过程 一、P型半导体 掺杂结果：每掺入一个三价元素，产生一个空穴和一个不导电的杂质负离子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 +5 图 1-4　N 型半导体的结构 (b) 结构示意图 (a) 形成过程 二、N型半导体 掺杂结果：每掺入一个五价元素，产生一个自由电子和一个不导电的杂质正离子 施主原子 耗尽层 空间电荷区 P N