半导体物理 第六章 pn结.pptx

第六章 pn结;;Pn相关器件认识;蓝紫光半导体 ;LED天花灯;第六章 PN结;高温熔融的铝冷却后，n型硅片上形成高浓度的p型薄层。;在n型单晶硅片上扩散受主杂质，形成pn结。 杂质浓度从p到n 逐渐变化，称为缓变结。;6.1.2;6.1.3;能带发生整体相对移动与pn结空间电荷区中存在内建电场有关。;本征费米能级Ei的变化与-qV(x)一致;同理，空穴电流密度为：;当电流密度一定时，载流子浓度大的地方， EF随位置变化小，而载流子浓度小的地方， EF随位置变化较大。;6.1.4;qVD=EFn-EFp;;6.1.5;因为E(x)=-qV(x);X点空穴浓度为， ;;平衡时，pn结具有统一的费米能级，无净电流流过pn结。;正向偏移下，非平衡状态;注入到p区的电子断与空穴复合，电子流不断转化为空穴流，直到全部复合为止。;反向偏移下，非平衡状态;2. 外加直流电压下，pn结的能带图;正向偏压下的特征： P、n区具有各自的费米能级Efn、Efp； 有净电流流过pn结； 正向偏压下，势垒降低qV; qV=Efn-Efp； Efn位置高于 EFP ;反向偏压下pn结的能带结构;6.2.2 理想pn结模型及其电流、电压方程;1. pp’处注入的非平衡少数载流子浓度：;pp’边界注入的非平衡少数载流子浓度为;同理，nn’边界注入的非平衡少数载流子浓度为;稳态时，非平衡少数载流子的连续性方程;边界条件：x??, pn(?)=pn0, X=xn, ;讨论：;在n区内部：xLp处;2.外加偏压下电流密度的关系;理想PN 结，忽略势垒区内的复合-产生作用， 通过pp’界面的空穴电流密度为Jp(-xp)=通过nn’’界面的空穴电流密度为Jp(xn);;理想pn结的电压-电流方程，又称为肖克莱方程。;3. Pn结的单向导电性;反向电流密度为常量，与外加电压无关，-Js为反向饱和电流密度;6.2.3 影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素;引起偏离的原因 ;1.势垒区产生电流 ;势垒区内;2.势垒区产生电流 ;总的正向电流密度JF=扩散电流JFD+复合电流Jr;低电压时;3.大注入情况;总结： 低电压时，m=2, 复合电流其主要作用； 高电压时， m=1, 扩散电流其主要作用。;6.3 pn结电容：;2. 扩散电容;微分电容 pn结在固定直流偏压V作用下，叠加一个微小的交流电容dV时，引起电荷变化dQ, 该直流偏压下的微分电容为;突变结势垒区宽度 XD为;若Pn结面积为A;讨论：;较深的扩散结，在pn结附近，近似为线性缓变结;不论杂质如何分布，在耗尽层近似下，等效为一个平行板电容;6.3.4 扩散电容;扩散电容随正向偏压指数式增长。;对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR，反向电流突然迅速增大，这种现象称为PN结击穿。;载流子的倍增效应：载流子在势垒区不断发生碰撞电离，使载流子大量增加的现象。;;;2.;对一定的半导体材料，势垒区电场E越大，或?x越短，电子穿过隧道的概率p越大。;若概率p=10-10， Si: Eg=1.12eV, ?x=3.1nm。;3. 热电击穿;5. Pn结隧道效应;隧道结：重掺杂的P区和n区形成的结。;平衡时的能带图;平衡态 无净电流流过;隧道结利用多子的隧道效应工作的。;