半导体二极管检测和识别.ppt

项目4 半导体二极管的检测与识别 常用半导体器件 半导体基础知识 本征半导体 几个名词 总结 本征半导体中受激产生的电子很少。 N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂提供的电子，N型半导体中空穴是少子，少子的迁移也能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 比较 PN结 在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 PN结的单向导电性 PN结加正向电压－导通 PN结的单向导电性 PN结小结 晶体二极管图 晶体二极管的结构 晶体二极管的分类 2.2.1 二极管的结构、类型及符号 将一个PN结封装起来，引出两个电极，就构成半导体二极管，也称晶体二极管。其电路中的表示符号如图2-11a所示。二极管的外形如图2-1b所示。 二极管的结构示意图 二极管的结构有三种，点接触型、面接触型、平面型，如图2-12所示。 二极管特性曲线测试 晶体二极管特性曲线 曲线分析 反向击穿特性 当反向电压超过某一数值时，反向电流将急剧增加，这种现象称为击穿现象。对应于电流突变的这一点的电压称为反向击穿电压，用UB表示。 晶体二极管的主要参数 特殊二极管 1.稳压二极管 2.光电二极管 光敏二极管 发光二极管 知识1 国产二极管型号命名法 激光管 GJ PIN管 PIN 半导体特殊器件 BT 场效应器件 CS 阶跃恢复管 J 雪崩管 B 体效应器件 Y 半导体闸流管 T 开关管 K 光电子显示器 GS 隧道管 S 整流管 Z 变容器 C P型，硅材料 D 稳压管 W N型，硅材料 C 混频检波器 V P型，锗材料 B 反映承受反向击穿电压的程度，其规格号为A、B、C、D…。其中A承受的反向击穿电压最低，B次之…… 反映了极限参数、直流参数和交流参数的差别 小信号管 P N型，锗材料 A 二极管 2 意义 意义 意义 符号 意义 符号 意义 符号 用字母表示规格 用数字表示序号 用字母表示器件的用途 用字母表示器件的材料和类性 用数字表示器件的电极数目 第五部分 第四部分 第三部分 第二部分 第一部分 知识2 二极管的类型与用途 二极管的外包装材料有塑料、玻璃和金属3种。按照二极管的结构材料可分为硅和锗两种；按制作与识别可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流二极管、稳压二极管、检波二极管、开关二极管、双向二极管、变容二极管、阻尼二极管、高压硅堆和敏感类二极管（光敏、温敏、压敏、磁敏等）。 1．整流二极管 整流二极管主要用于把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管的结构为面接触型，其结电容较大，因此，工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型、2CL51型等。 选择整流二极管时主要考虑其最大整流电流、最高反向工作电压是否满足要求。常用的硅桥（硅整流组合管）为QL型。 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 N型区 P型区 电位V V0 注意 1.空间电荷区中没有载流子。 2.空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴.N 区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 3. P 区中的电子和 N区中的空穴（都是少），数量有限，因此由它们形成的电流很小。 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F 正向电流 PN结的单向导电性 (2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场 →耗尽层变宽