ansys多物理场仿真分析在sip系统级封装中的应用精编版.pptxVIP

ANSYS多物理场仿真分析 在SIP系统级封装中的应用 逆风傲雪 QQ:276012341 一、SIP发展及其散热问题 SOC是以IC前端制造技术为基础，而SIP则是以IC后段封装制造技术为基础。在本质上，系统级封装不仅是单芯片或多芯片的封装，同时可含有电容、电阻等无源器件，电子连接器、传感器、天线、电池等各种元件，它强调功能的完整性，具有更高的应用导向性。 图1 SIP概念图 目前，SIP的型式可说是千百万化，就芯片的排列方式而言，SIP可能是2D平面或是利用3D堆叠,如图2(a)；或是多芯片封装（Multi-chip Package；MCP）以有效缩减封装面积，如图2(b)；或是前述两者的各种组合,如图2(c)。 图2 （a）3D堆叠封装型态结构的SIP，（b）多芯片封装结构的SIP（Amkor），（c）组合式封装结构的SIP（Amkor） (b) (c) SIP结构所产生的散热问题大致有以下几点： 芯片堆叠后发热量将增加，但散热面积并未相对增 加，因此发热密度大幅提高； 多芯片封装虽然仍保有原散热面积，但由于热源的相互接近，热耦合增强，从而造成更为严重的热问题； 内埋置基板中的无源器件也有一定的发热问题，由于有机基板或陶瓷基板散热不良，也会产生严重的热问题； 由于封装体积缩小，组装密度增加，使得散热不易解决，因此需要更高