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《模拟电子技术》 第一章 半导体二极管及其应用电路 本章主要内容： 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 半导体二极管的应用 1.5 本章小结 1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体的导电特性 1.1.2 PN结 1.1.1 半导体的导电特性 自然界中的各种物质按其导电性 能的不同可划分为：导体、半导体和 绝缘体。半导体的导电性能介于导体 和绝缘体之间. 常见的半导体材料是硅(Si)和锗 (Ge),它们都是+4价元素. 硅的热稳定性比锗好. 1.1.1 半导体的导电特性 一、半导体的特点 1.热敏性 2.光敏性 3.掺杂性 温度、光照、是否掺入杂质元素这三方面对半导体导电性能强弱影响很大。当半导体温度升高、光照加强、掺入杂质元素，其导电能力将大大增强。 1.1.1 半导体的导电特性 二、本征半导体 半导体按其是否掺入杂质来划分， 又可分为：本征半导体和杂质半导体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶 体称为本征半导体。 在绝对0K（-273oC），本征半导体基本不导电。 1.1.1 半导体的导电特性 （1）本征半导体的原子结构及共价键 共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。 1.1.1 半导体的导电特性 （2）本征激发现象 当温度升高或受光照射时，共价键中的价电子获得足够能量，从共价键中挣脱出来，变成自由电子；同时在原共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴,电子-空穴对就形成了. 1.1.1 半导体的导电特性 在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子和空穴产生相对的填补运动。这样，电子和空穴就产生了相对移动，它们的运动方向相反，而形成的电流方向是一致的。 由此可见，本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴，而导体中只有一种载流子：自由电子，这是半导体与导体的一个本质区别。 1.1.1 半导体的导电特性 三、杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。 （1） P型半导体--掺入微量的三价元素（如硼） 1.1.1 半导体的导电特性 因此,+3价元素原子获得一个电子,成为一个不能移动的负离子，而半导体仍然呈现电中性。 P型半导体的特点： 多数载流子为空穴； 少数载流子为自由电子。 1.1.1 半导体的导电特性 （2） N型半导体--掺入微量的五价元素(如磷) N型半导体: 多子-自由电子 少子-空穴 1.1.1 半导体的导电特性 注意： 杂质半导体中的多数载流子的浓度与掺杂浓度有关；而少数载流子是因本征激发产生，因而其浓度与掺杂无关，只与温度等激发因素有关. 1.1.2 PN结 一．PN结的形成 在一块本征半导体的两边,分别形 成P型和N型半导体,在两种载流子交界 处会出现载流子的相对运动. 扩散运动-多数载流子因浓度上的 差异而形成的运动. 1.1.2 PN结 扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面靠近P区一侧留下了不能移动的负离子，靠近N区一侧留下了等量的正离子。P区和N区交界面两侧形成的正、负离子薄层，称为空间电荷区,其中无载流子。由于空间电荷区的出现，建立了PN结的内电场。 漂移运动-内电场的作用使载流子发生的运动. 1.1.2 PN结 当扩散和漂移两种相反作用的运动达到动态平衡时，形成的稳定空间电荷区就叫做PN结。 1.1.2 PN结 二．PN结的单向导电性 （1）外加正向电压—正偏 当PN结加上正向电压，即P区接电源正极(高电位)，N区接电源负极(低电位)。此时，称PN结加正向偏置电压，简称“正偏”. 1.1.2 PN结 正偏时由于PN结变薄,空间电荷区消失(外加电场足够大),能导电的区域增大,因此,PN结呈现出的正向电阻小,流过的正向电流大. 因此, PN结正偏导通. 1.1.2 PN结 （2）外加反向电压—反偏 当PN结加上反向电压，即P区接电源负极(低电位)，N区接电源正极(高电位)。此时，称PN结加反向偏置电压，简称“反偏”.