LED基础知识讲解.pptVIP

LED基础知识讲座 一、关于电压 LED的电流-电压特性？ 蓝光LED的工作电压为什么偏离禁带宽度？ 什么是VF1和VF2，为什么要测量VF1？ 什么是反向电压(VR)和反向漏电流(IR)，VR与IR的关系？ 什么是ESD？ VF，VR与外延和芯片工艺的关系？ 1.1 LED的电流电压特性 1.1 LED的电流-电压特性 1.1 LED的电流-电压特性 1.2 蓝光LED的电压为什么偏离Eg 1.3 什么是VF1和VF2，为什么要测量VF1 1.4什么是VR和IR 1.5 什么是ESD 1.5 什么是ESD 1.5 什么是ESD 1.6 VF和VR与外延和芯片工艺的关系 1.6 VF和VR与外延和芯片工艺的关系 1.6 VF和VR与外延和芯片工艺的关系 二、关于波长 主波长与峰值波长的关系？ LED发光波长取决于什么因素？ PL波长与EL波长的关系？ 什么是波长漂移，它跟什么因素有关? 发光波长偏差与外延和芯片工艺的关系？ 2.1、主波长与峰值波长的关系 峰值波长是该LED发光光谱中强度最高的点对应的波长， 峰值波长是一个纯物理量。 2.1 主波长与峰值波长的关系 2.1、主波长与峰值波长的关系 2.2、LED发光波长取决于什么因素 2.2、LED发光波长取决于什么因素 2.3、PL波长与EL波长的关系 2.4、什么是波长漂移，它跟什么因素有关? 2.5、发光波长偏差与外延和芯片工艺的关系？ 2.5、发光波长偏差与外延和芯片工艺的关系？ 三、关于亮度 怎样表征LED的发光效率？ 怎样表征LED的亮度？ 流明(lm)、毫瓦(mW)、毫烛光(mcd)、勒克斯(lx)、尼特(nit)这些单位之间有什么区别和联系？ 为什么绿光mW低而mcd反而高？ 3.1、怎样表征LED的发光效率 3.2、怎样表征LED的发光强度 3.2、怎样表征LED的发光强度 3.3为什么绿光mW低而mcd反而高？ 四、关于可靠性 LED可靠性的基本概念？ LED失效的基本规律？ LED的失效与什么因素有关？ 4.1、LED可靠性的基本概念 4.2、LED失效的基本规律 4.3 LED的失效与什么因素有关？ 固有可靠性：出厂前的设计制造过程中决定的元器件本身具有的可靠性特性； 应用可靠性：元器件交付使用后，由于电路的工作条件、环境条件、人为因素等引 发的可靠性问题； 4.3 LED的失效与什么因素有关？ 4.3 LED的失效与什么因素有关？ 4.3 LED的失效与什么因素有关？ * 理想二极管方程： I= VD e 如果正向电压VkT/e则 I≈ IseeV/kT，将VD代入改写方程得到： I=C.ee(V-VD)/kT LED的I-V特性曲线。 由上述方程可知，当正向电压接近VD时，电流将迅速增大，此后电流再增大，电压几乎不变。当掺杂浓度很高时： Vth ≈ VD≈Eg/e Eg 为半导体材料的禁带宽度。 通常所说的LED工作电压指，给LED通上20mA电流所需要的电压。 实际工作的LED的压降主要来源于：p-n结、N电极接触电阻、N型半导体层体电阻，P电极接触电阻、P型半导体层体电阻。 V = Eg/e + IRs 传统LED的接触电阻和体电阻很小，工作电压主要取决于p-n结的性质。 蓝光LED使用的InGaAlN材料具有很大的能带失调值，形成许多异质结界面，具有较大的势垒。 InGaAlN材料体系的欧姆接触技术还不成熟，导致接触电阻较大，尤其是P型欧姆接触质量较差。 InGaAlN材料的P型掺杂困难，导致P型层电导率低，体电阻较大。 InGaAlN材料的广泛使用过渡层技术，这些过渡层有时会带来一些电阻。 VF1一般指正向通1微安或10微安电流时的电压值。 VF2一般指正向通20mA电流时的电压值，也即泛指的 LED工作电压。 同样可以定义500mA下的电压值为VF3，并类推。。。 VF1也称启动电压。由于VF1一般略低于Vth，此时流 过p-n结的电流很小，电压的大小可以反应并联电阻的 大小(漏电)。并联电阻的来源包括结区的缺陷，如位 错、微孔等，芯片侧面p-n结附近的导电物质污染，以 及钝化层绝缘性差等。一般希望并联电阻越大越好 （VF1高），但有时可以利用并联电阻保护LED (ESD)。 VR指一定反向电流下的电压值，其最大值为反向击穿电压(VB)，一般在反向10微安或1微安下测量。 IR指一定的反向电压下，反向电流的大小，当VRVB时，IR很小，几乎为0且不随VR而变化；当VR接近VB时，IR迅速增大甚至击穿。蓝光LED一般在5V下测IR。 p-n结反向击穿有二种模式:雪崩击穿和隧道击穿。 VB的大小取决于禁带宽度、掺杂浓度和温度。 ESD: Electro Static